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公开(公告)号:CN114122730A
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN202111417302.5
申请日:2021-11-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开一种宽带金属腔体天线及设计方法及天线阵,包括金属腔体,所述金属腔体顶部设置有两个矩形的辐射腔;所述辐射腔底部均设有耦合缝隙;所述辐射腔内壁设有长条台阶;两所述长条台阶以所述耦合缝隙对称设置,各所述长条台阶的中间位置设置有楔形金属块;所述耦合缝隙下方还设置有金属耦合腔,所述耦合缝隙与金属耦合腔相连;所述金属腔体的底部设置有馈电波导,所述馈电波导与所述金属耦合腔的下端面中心通过一耦合腔相连;本发明所述宽带金属腔体天线工作于x~Ku波段,具有稳定的带内辐射特性和高增益高效率特性,且具有极低的交叉极化性能;同时采用全金属腔体结构,结构简单,工艺性好,加工难度低。
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公开(公告)号:CN114122730B
公开(公告)日:2023-02-07
申请号:CN202111417302.5
申请日:2021-11-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开一种宽带金属腔体天线及设计方法及天线阵,包括金属腔体,所述金属腔体顶部设置有两个矩形的辐射腔;所述辐射腔底部均设有耦合缝隙;所述辐射腔内壁设有长条台阶;两所述长条台阶以所述耦合缝隙对称设置,各所述长条台阶的中间位置设置有楔形金属块;所述耦合缝隙下方还设置有金属耦合腔,所述耦合缝隙与金属耦合腔相连;所述金属腔体的底部设置有馈电波导,所述馈电波导与所述金属耦合腔的下端面中心通过一耦合腔相连;本发明所述宽带金属腔体天线工作于x~Ku波段,具有稳定的带内辐射特性和高增益高效率特性,且具有极低的交叉极化性能;同时采用全金属腔体结构,结构简单,工艺性好,加工难度低。
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公开(公告)号:CN115189121B
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202210998979.0
申请日:2022-08-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开一种圆极化金属腔体天线、阵列及制备方法,属于天线技术领域,包括一分四金属馈电网络和四个象限辐射单元,象限辐射单元包括辐射腔体、谐振金属块和L型金属条,两谐振金属块对称布置于辐射腔体内,辐射腔体采用金属制备,各辐射腔体内电场分布相同且各辐射腔体上开设有耦合缝;每个辐射腔体上方开有四个辐射孔,L型金属条位于辐射孔内,位于顺时针方向上的相邻象限辐射单元内的L型金属条为顺时针旋转90度后对称布置。天线的圆极化功能通过旋转L型金属条来实现,去掉了常规的圆极化器的结构,大大降低了天线的剖面高度。
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公开(公告)号:CN110429378A
公开(公告)日:2019-11-08
申请号:CN201910705862.7
申请日:2019-07-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开一种双频共口径波导缝隙波导天线、天线阵及设计方法,包括辐射端口、辐射侧壁、第一波导腔体、第二波导腔体、Ku频段输入端口、Ka频段输入端口;所述辐射端口、所述辐射侧壁、所述第一波导腔体、所述第二波导腔体、所述Ka频段输入端口从上至下依次设置,所述Ku频段输入端口设置在所述第一波导腔体上;本发明具有高效率,高增益,易加工,双频段,大间距等特点。
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公开(公告)号:CN115189121A
公开(公告)日:2022-10-14
申请号:CN202210998979.0
申请日:2022-08-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开一种圆极化金属腔体天线、阵列及制备方法,属于天线技术领域,包括一分四金属馈电网络和四个象限辐射单元,象限辐射单元包括辐射腔体、谐振金属块和L型金属条,两谐振金属块对称布置于辐射腔体内,辐射腔体采用金属制备,各辐射腔体内电场分布相同且各辐射腔体上开设有耦合缝;每个辐射腔体上方开有四个辐射孔,L型金属条位于辐射孔内,位于顺时针方向上的相邻象限辐射单元内的L型金属条为顺时针旋转90度后对称布置。天线的圆极化功能通过旋转L型金属条来实现,去掉了常规的圆极化器的结构,大大降低了天线的剖面高度。
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公开(公告)号:CN110429378B
公开(公告)日:2020-11-27
申请号:CN201910705862.7
申请日:2019-07-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开一种双频双极化波导天线单元、天线及设计方法,包括辐射端口、辐射侧壁、第一波导腔体、第二波导腔体、Ku频段输入端口、Ka频段输入端口;所述辐射端口、所述辐射侧壁、所述第一波导腔体、所述第二波导腔体、所述Ka频段输入端口从上至下依次设置,所述Ku频段输入端口设置在所述第一波导腔体上;本发明具有高效率,高增益,易加工,双频段,大间距等特点。
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