公开(公告)号：CN102565180A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201010602468.X

申请日：2010-12-23

Applicant: 中国核动力研究设计院

Inventor： 梁帮宏 ,  张劲松 ,  邓辉 ,  杨彬 ,  张舸

IPC: G01N27/64 ,  G01T1/167

Abstract: 本发明属于钼同位素丰度测量领域，具体涉及一种钼同位素丰度负热电离质谱测量方法。本发明包括铼带涂样、升温测量和修正数据三个步骤，其采用负热电离质谱测量法，利用双铼带组件，以SrCl2溶液作为发射剂。本发明的方法解决了现有技术中涂样量大、测量时间长、测量结果相对标准偏差大的技术问题。本发明方法的各指标参数较为均衡，取得了涂样量小、测量时间短并且测量结果相对标准偏差小的技术效果，尤其适合低含量的放射性样品和生物样品的测量要求。

公开(公告)号：CN102565180B

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201010602468.X

申请日：2010-12-23

Applicant: 中国核动力研究设计院

Inventor： 梁帮宏 ,  张劲松 ,  邓辉 ,  杨彬 ,  张舸

IPC: G01N27/64 ,  G01T1/167

Abstract: 本发明属于钼同位素丰度测量领域，具体涉及一种钼同位素丰度负热电离质谱测量方法。本发明包括铼带涂样、升温测量和修正数据三个步骤，其采用负热电离质谱测量法，利用双铼带组件，以SrCl2溶液作为发射剂。本发明的方法解决了现有技术中涂样量大、测量时间长、测量结果相对标准偏差大的技术问题。本发明方法的各指标参数较为均衡，取得了涂样量小、测量时间短并且测量结果相对标准偏差小的技术效果，尤其适合低含量的放射性样品和生物样品的测量要求。