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公开(公告)号：CN114203326A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111517496.6
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了石墨烯封装超薄镍‑63辐射源薄膜及其制备方法、应用，其制备方法包括以下步骤：S1、在PMMA/石墨烯薄膜上制备63NiCl2薄膜，获得PMMA/石墨烯/63NiCl2薄膜；S2、将步骤S1制备的PMMA/石墨烯/63NiCl2薄膜与PMMA/石墨烯薄膜面对面接触，使63NiCl2薄膜置于两层石墨烯之间，获得PMMA/石墨烯/63NiCl2/石墨烯/PMMA薄膜，然后真空干燥处理；S3、去除PMMA/石墨烯/63NiCl2/石墨烯/PMMA薄膜中的PMMA，获得石墨烯/63NiCl2/石墨烯薄膜；S4、将步骤S3获得的石墨烯/63NiCl2/石墨烯薄膜置于真空环境进行还原处理，将63NiCl2还原成63Ni膜，获得石墨烯封装超薄镍‑63辐射源薄膜。通过本发明所述制备方法制备的封装整体厚度较薄，且封装结构中的镍‑63辐射源薄膜的厚度仅约为1μm。
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公开(公告)号：CN114203329A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111518689.3
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了GaN基肖特基二极管、β核电池及其制备方法，GaN基肖特基二极管，包括n型GaN薄膜、金属层和石墨烯，所述n型GaN薄膜置于金属层和石墨烯之间，所述金属层和石墨烯分别作为GaN基肖特基二极管的底电极和顶电极。本发明所述GaN基肖特基二极管中的n型GaN薄膜采用外延生长技术获得，具有超薄的优点，且本发明的GaN基肖特基二极管中采用石墨烯作为电极，使得制备的GaN基肖特基二极管不仅具有厚度薄的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114203330A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111518716.7
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种超薄镍‑63辐射源及其制备方法、应用，制备方法包括以下步骤：S1、制备镍源：先制备Ni纳米颗粒，然后将制备的Ni纳米颗粒分散于乙醇/丙酮溶液中；S2、制备PMMA/石墨烯薄膜；S3、将步骤S2制备的PMMA/石墨烯薄膜置于磁场中，然后将步骤S1制备的镍源滴涂于PMMA/石墨烯薄膜表面，在外磁场的诱导下，Ni纳米粒子沿着磁力线方向定向排列，待乙醇/丙酮挥发后，撤去外磁场；S4、去除PMMA获得超薄镍‑63辐射源。采用本发明所述制备方法所制备的镍‑63辐射源厚度可降至1μm左右，且薄膜完整可自支撑，组成薄膜的纳米粒子在外加磁场的作用下可实现定向排列。
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公开(公告)号：CN114188064A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111518719.0
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种PIN结β核电池及其制备方法和电池组，制备方法包括以下步骤：S1、在蓝宝石衬底上，通过金属有机化学气相沉积生长GaN外延片，获得蓝宝石基底的p‑i‑n型GaN薄膜；S2、采用激光剥离去除蓝宝石衬底获得p‑i‑n型GaN薄膜；S3、将步骤S2获得的p‑i‑n型GaN薄膜制备成GaN基p‑i‑n二极管；S4、将步骤S3获得的GaN基p‑i‑n二极管与β辐射源薄膜组装形成PIN结β核电池。通过本发明所述方法制备的GaN基p‑i‑n二极管的整体厚度可降至10～100μm，能够降低PIN结β核电池的厚度。
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公开(公告)号：CN114203330B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202111518716.7
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种超薄镍‑63辐射源及其制备方法、应用，制备方法包括以下步骤：S1、制备镍源：先制备Ni纳米颗粒，然后将制备的Ni纳米颗粒分散于乙醇/丙酮溶液中；S2、制备PMMA/石墨烯薄膜；S3、将步骤S2制备的PMMA/石墨烯薄膜置于磁场中，然后将步骤S1制备的镍源滴涂于PMMA/石墨烯薄膜表面，在外磁场的诱导下，Ni纳米粒子沿着磁力线方向定向排列，待乙醇/丙酮挥发后，撤去外磁场；S4、去除PMMA获得超薄镍‑63辐射源。采用本发明所述制备方法所制备的镍‑63辐射源厚度可降至1μm左右，且薄膜完整可自支撑，组成薄膜的纳米粒子在外加磁场的作用下可实现定向排列。
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公开(公告)号：CN114203326B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202111517496.6
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了石墨烯封装超薄镍‑63辐射源薄膜及其制备方法、应用，其制备方法包括以下步骤：S1、在PMMA/石墨烯薄膜上制备63NiCl2薄膜，获得PMMA/石墨烯/63NiCl2薄膜；S2、将步骤S1制备的PMMA/石墨烯/63NiCl2薄膜与PMMA/石墨烯薄膜面对面接触，使63NiCl2薄膜置于两层石墨烯之间，获得PMMA/石墨烯/63NiCl2/石墨烯/PMMA薄膜，然后真空干燥处理；S3、去除PMMA/石墨烯/63NiCl2/石墨烯/PMMA薄膜中的PMMA，获得石墨烯/63NiCl2/石墨烯薄膜；S4、将步骤S3获得的石墨烯/63NiCl2/石墨烯薄膜置于真空环境进行还原处理，将63NiCl2还原成63Ni膜，获得石墨烯封装超薄镍‑63辐射源薄膜。通过本发明所述制备方法制备的封装整体厚度较薄，且封装结构中的镍‑63辐射源薄膜的厚度仅约为1μm。
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公开(公告)号：CN114203327A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111518663.9
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种p‑i‑n结及制备方法、二极管和β核电池，p‑i‑n结由下到上依次为GaN缓冲层、GaN的n型掺杂层、掺入层i层和GaN的p型掺杂层，所述掺入层i层为由不同带隙的半导体材料薄层周期性地交替生长而成的量子阱结构，所述不同带隙的半导体材料包括GaN，还至少包括一种比GaN更宽带隙的半导体材料。本发明一方面通过增大耗尽区的宽度来增加电子空穴对的收集空间，减少扩散运动所带来的影响，从而可以产生更多的载流子，获得更大电流，另一方面引入了更宽带隙的半导体，有利降低由载流子扩散引起的反向饱和电流获得更高的开路电压，进而获得更高的能量转换效率。
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