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公开(公告)号：CN118326279A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410733246.3
申请日：2024-06-07
申请人： 中国机械总院集团沈阳铸造研究所有限公司
IPC分类号： C22C38/16 , C22C38/14 , C22C38/10 , C22C38/08 , C22C38/04 , C22C38/02 , B22F10/28 , B22F10/366 , B22F10/64 , B33Y10/00 , B33Y40/20 , B33Y70/00 , B33Y80/00
摘要： 一种增材制造低温近零膨胀因瓦合金及其制备方法，具体涉及金属材料的增材制造技术领域。原材料按重量百分比包含以下化学成分：铜：0.35%~0.42%、钴：4.2%~4.7%、锰：0.15%~0.25%、钛：0.5%~1.2%，镍：30.5%~32.0%、碳：≤0.01%、硅：≤0.1%，余量为铁和不可避免的杂质；所述增材制造低温近零膨胀因瓦合金在‑170℃~0℃平均热膨胀系数≤0.4×10‑6 K‑1，且在‑170℃~0℃温度区间内，增材制造低温近零膨胀因瓦合金不会发生不可逆相变。所述制备方法制备的增材制造低温近零膨胀因瓦合金热膨胀系数稳定、低温宽温域、近零膨胀。
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公开(公告)号：CN116535211B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202310262704.5
申请日：2023-03-17
申请人： 中国机械总院集团沈阳铸造研究所有限公司
IPC分类号： C04B35/50 , C04B35/495 , C04B35/622 , G21F1/06
摘要： 本发明公开了一种致密的辐射防护陶瓷及其制备方法，涉及辐射防护材料领域，所述陶瓷以氧化硼、氧化锂、氧化钨和稀土氧化物为原料制成，所述稀土氧化物为氧化钐、氧化钆、氧化铕之一种或几种的组合。传统防护材料存在毒性、耐温能力不足、需要与基体材料或支撑结构组合等问题，造成屏蔽体体积和重量增加。本发明利用高温固相反应制粉，通过无压烧结工艺制备屏蔽陶瓷块体，可获得理论密度在90％以上的致密陶瓷屏蔽体。所得材料可用于医疗辐射源、工业辐射源、核反应堆、乏燃料贮运容器等中子、γ射线防护领域。
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公开(公告)号：CN118180409B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410513784.1
申请日：2024-04-26
申请人： 中国机械总院集团沈阳铸造研究所有限公司
摘要： 本发明提供一种增材制造超轻因瓦合金点阵结构及其制备方法和应用，具体涉及点阵金属的增材制造技术领域。该增材制造超轻因瓦合金点阵结构由三维点阵单胞拓展而成，三维点阵单胞由平面菱形结构旋转变换而来，平面菱形结构的一个锐角与空间Z轴夹角成45°且平面菱形结构在空间XZ平面内对称分布；以平面菱形结构的上述锐角顶点为原点，平面菱形结构沿空间X轴先分别旋转‑90°、90°、180°，再沿空间Z轴分别旋转‑90°、90°、180°，获得32棱柱点阵单胞，将32棱柱点阵单胞沿横纵方向拓展获得增材制造超轻因瓦合金点阵结构。此结构轻量化程度高、热膨胀系数低，拓宽了点阵金属在航空航天领域的应用范围。
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公开(公告)号：CN117773157A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410216762.9
申请日：2024-02-28
申请人： 中国机械总院集团沈阳铸造研究所有限公司
摘要： 本发明提供一种4D打印双向智能温控点阵结构及其制备方法，具体涉及点阵金属的增材制造技术领域。4D打印双向智能温控点阵结构包括若干个微孔点阵单胞，微孔点阵单胞阵列和镜像后得到4D打印双向智能温控点阵结构；所述的微孔点阵单胞为截角八面体沿水平方向拉伸获得的点阵单胞或沿水平方向压缩获得的点阵单胞，所述微孔为水平方向拉伸的菱形微孔、水平方向压缩的菱形微孔、水平方向拉伸的正方形微孔或水平方向压缩的正方形微孔中的一种，所述的截角八面体为内部镂空的正八面体截角所得。本发明具有极高的设计自由度，满足智能温控双向点阵结构在航空航天领域的应用要求。
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公开(公告)号：CN118326279B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410733246.3
申请日：2024-06-07
申请人： 中国机械总院集团沈阳铸造研究所有限公司
IPC分类号： C22C38/16 , C22C38/14 , C22C38/10 , C22C38/08 , C22C38/04 , C22C38/02 , B22F10/28 , B22F10/366 , B22F10/64 , B33Y10/00 , B33Y40/20 , B33Y70/00 , B33Y80/00
摘要： 一种增材制造低温近零膨胀因瓦合金及其制备方法，具体涉及金属材料的增材制造技术领域。原材料按重量百分比包含以下化学成分：铜：0.35%~0.42%、钴：4.2%~4.7%、锰：0.15%~0.25%、钛：0.5%~1.2%，镍：30.5%~32.0%、碳：≤0.01%、硅：≤0.1%，余量为铁和不可避免的杂质；所述增材制造低温近零膨胀因瓦合金在‑170℃~0℃平均热膨胀系数≤0.4×10‑6 K‑1，且在‑170℃~0℃温度区间内，增材制造低温近零膨胀因瓦合金不会发生不可逆相变。所述制备方法制备的增材制造低温近零膨胀因瓦合金热膨胀系数稳定、低温宽温域、近零膨胀。
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公开(公告)号：CN117773157B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410216762.9
申请日：2024-02-28
申请人： 中国机械总院集团沈阳铸造研究所有限公司
摘要： 本发明提供一种4D打印双向智能温控点阵结构及其制备方法，具体涉及点阵金属的增材制造技术领域。4D打印双向智能温控点阵结构包括若干个微孔点阵单胞，微孔点阵单胞阵列和镜像后得到4D打印双向智能温控点阵结构；所述的微孔点阵单胞为截角八面体沿水平方向拉伸获得的点阵单胞或沿水平方向压缩获得的点阵单胞，所述微孔为水平方向拉伸的菱形微孔、水平方向压缩的菱形微孔、水平方向拉伸的正方形微孔或水平方向压缩的正方形微孔中的一种，所述的截角八面体为内部镂空的正八面体截角所得。本发明具有极高的设计自由度，满足智能温控双向点阵结构在航空航天领域的应用要求。
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公开(公告)号：CN118180409A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410513784.1
申请日：2024-04-26
申请人： 中国机械总院集团沈阳铸造研究所有限公司
摘要： 本发明提供一种增材制造超轻因瓦合金点阵结构及其制备方法和应用，具体涉及点阵金属的增材制造技术领域。该增材制造超轻因瓦合金点阵结构由三维点阵单胞拓展而成，三维点阵单胞由平面菱形结构旋转变换而来，平面菱形结构的一个锐角与空间Z轴夹角成45°且平面菱形结构在空间XZ平面内对称分布；以平面菱形结构的上述锐角顶点为原点，平面菱形结构沿空间X轴先分别旋转‑90°、90°、180°，再沿空间Z轴分别旋转‑90°、90°、180°，获得32棱柱点阵单胞，将32棱柱点阵单胞沿横纵方向拓展获得增材制造超轻因瓦合金点阵结构。此结构轻量化程度高、热膨胀系数低，拓宽了点阵金属在航空航天领域的应用范围。
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公开(公告)号：CN116535211A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310262704.5
申请日：2023-03-17
申请人： 中国机械总院集团沈阳铸造研究所有限公司
IPC分类号： C04B35/50 , C04B35/495 , C04B35/622 , G21F1/06
摘要： 本发明公开了一种致密的辐射防护陶瓷及其制备方法，涉及辐射防护材料领域，所述陶瓷以氧化硼、氧化锂、氧化钨和稀土氧化物为原料制成，所述稀土氧化物为氧化钐、氧化钆、氧化铕之一种或几种的组合。传统防护材料存在毒性、耐温能力不足、需要与基体材料或支撑结构组合等问题，造成屏蔽体体积和重量增加。本发明利用高温固相反应制粉，通过无压烧结工艺制备屏蔽陶瓷块体，可获得理论密度在90％以上的致密陶瓷屏蔽体。所得材料可用于医疗辐射源、工业辐射源、核反应堆、乏燃料贮运容器等中子、γ射线防护领域。
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公开(公告)号：CN116104893B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310000470.7
申请日：2023-01-03
申请人： 中国机械总院集团沈阳铸造研究所有限公司
摘要： 一种高阻尼变刚度点阵复合结构减振器及其制备方法，属于减振器领域，所述减振器由点阵复合结构和底座构成；点阵复合结构是由点阵金属和粘弹性材料复合而成，点阵金属孔隙率调控范围为30%~90%，点阵金属孔棱直径1~3mm，最小孔直径为0.8~2.5mm，点阵金属的基体材料为钢铁材料，粘弹性材料的基体材料为环氧树脂或聚氨酯。本发明通过点阵结构孔型参数、孔隙率的有效调控，将减振器的刚度调节在弹性连接与刚性连接之间，克服了弹性连接和刚性连接的不足；将粘弹性材料通过渗流加真空辅助技术填充到点阵结构中，通过材料改性和工艺调控，解决了粘弹性材料与金属界面结合性差、粘弹性材料填充点阵金属不充分以及粘弹性材料内部、粘弹性材料与金属界面易产生气泡的难题。
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