提升POMS剂量计辐射敏感性的方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118299461A

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202410384962.5

    申请日:2024-04-01

    Abstract: 本发明涉及电离辐射技术领域,提供一种提升POMS剂量计辐射敏感性的方法,该方法包括:利用离子束对POMS剂量计进行辐射,并且,离子束的辐射方向为沿栅电极朝向衬底基体的方向;确定栅电极、栅介质以及衬底基体的材质和尺寸大小,通过查表法或理论计算法,来分析离子束在栅电极、栅介质以及衬底基体上的能量损失分布,以调整离子束的能量损失集中在栅介质和栅电极处。利用离子束对POMS剂量计进行辐照,以提升其对电离辐射的辐射敏感性,同时,在POMS剂量计改性后,可工作在零偏置的辐照状态。

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