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公开(公告)号：CN105489460A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510943407.2
申请日：2015-12-16
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所 , 西北核技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种K波段同轴相对论返波振荡器，包括：阳极，其为包含有慢波结构的圆柱波导腔；阴极，其设置在所述圆柱波导腔内并通过绝缘子连接在所述阳极的一个端面上；电子束引导栅网，其设置在所述圆柱波导腔内并位于所述阴极的电子发射端的下游；同轴内导体，其为圆柱体结构；所述同轴内导体的一端设置在所述圆柱波导腔内，另一端通过金属支架连接在所述阳极的另一个端面上；且所述同轴内导体与所述阴极、所述圆柱波导腔形成同轴结构。本发明采用电子束透过率大于90％的电子束引导栅网引导电子束进入束波互作用区，降低了所需的外部磁场强度，使得器件需要的引导磁场降低至0.5T，减小了器件外部庞大的引导磁场系统的尺寸以及对能源提供的需求。
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公开(公告)号：CN105489460B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201510943407.2
申请日：2015-12-16
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所 , 西北核技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种K波段同轴相对论返波振荡器，包括：阳极，其为包含有慢波结构的圆柱波导腔；阴极，其设置在所述圆柱波导腔内并通过绝缘子连接在所述阳极的一个端面上；电子束引导栅网，其设置在所述圆柱波导腔内并位于所述阴极的电子发射端的下游；同轴内导体，其为圆柱体结构；所述同轴内导体的一端设置在所述圆柱波导腔内，另一端通过金属支架连接在所述阳极的另一个端面上；且所述同轴内导体与所述阴极、所述圆柱波导腔形成同轴结构。本发明采用电子束透过率大于90％的电子束引导栅网引导电子束进入束波互作用区，降低了所需的外部磁场强度，使得器件需要的引导磁场降低至0.5T，减小了器件外部庞大的引导磁场系统的尺寸以及对能源提供的需求。
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公开(公告)号：CN205177767U
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201521052870.X
申请日：2015-12-16
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所 , 西北核技术研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种21GHz同轴相对论返波振荡器，包括：阳极，其为包含有慢波结构的圆柱波导腔；阴极，其设置在所述圆柱波导腔内并通过绝缘子连接在所述阳极的一个端面上；电子束引导栅网，其设置在所述圆柱波导腔内并位于所述阴极的电子发射端的下游；同轴内导体，其为圆柱体结构；所述同轴内导体的一端设置在所述圆柱波导腔内，另一端通过金属支架连接在所述阳极的另一个端面上；且所述同轴内导体与所述阴极、所述圆柱波导腔形成同轴结构。本实用新型采用电子束透过率大于90％的电子束引导栅网引导电子束进入束波互作用区，降低了所需的外部磁场强度，使得器件需要的引导磁场降低至0.5T，减小了器件外部庞大的引导磁场系统的尺寸以及对能源提供的需求。
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公开(公告)号：CN109039140B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201811227799.2
申请日：2018-10-22
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明提供了一种紧凑的高压开关组件，该方案包括有电源电路、若干个单元开关电路以及若干个连接件；每个开单元开关电路独立设置在一块PCB板上，各PCB板之间通过连接件固定连接；所述电源电路为每个单元开关电路分别供电。该方案采用一个开关可同时满足脉冲源的脉冲宽度、重频、电压等参数宽范围调节，大大提高了单个脉冲源的多功能应用，可广泛应用于各类高速高压测试仪器、等离子体发生器及激光器驱动等领域。
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公开(公告)号：CN111540656B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202010254629.4
申请日：2020-04-02
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种S，C波段双频可控高功率微波器件，所述微波器件内具有同轴的内导体和四腔慢波结构，微波器件左端设置与四腔慢波结构内直径相同的圆环封闭结构；所述四腔慢波结构可轴向调节其在微波器件内的相对位置，其轴向总长度为170mm，内直径为76mm；调节四腔慢波结构最右端与内导体最左端轴向距离为240mm时，环形电子束在微波器件内传输，辐射产生S波段高功率微波；调节四腔慢波结构最右端与内导体最左端轴向距离为162.5mm时，环形电子束在微波器件内传输，辐射产生C波段高功率微波。采用本发明的一种S，C波段双频可控高功率微波器件，能够实现S及C波段可控高功率微波输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111540660B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202010255114.6
申请日：2020-04-02
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种C，X波段双频紧凑型高功率微波器件，包括依次设置包含同轴内导体的非周期性C波段慢波结构和X波段慢波结构，所述C波段慢波结构轴向总长度与C波段辐射波长的比值为1.6，X波段慢波结构轴向总长度与X波段辐射波长的比值为1.97，所述微波器件的内直径为76mm；电压380kV，电流6kA，内直径为60mm，外直径为70mm的环形电子束在0.63T的轴向磁场引导下在微波器件内传输，辐射产生4GHz及8GHz的双频高功率微波。采用本发明的一种C，X波段双频紧凑型高功率微波器件，能够同时辐射产生4GHz及8GHz的双频高功率微波。
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公开(公告)号：CN111540659B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010255035.5
申请日：2020-04-02
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种4GHz高功率微波器件，具有同轴内导体的四腔微波器件的轴向总长度与辐射微波波长的比值为1.6；所述四腔微波器件内沿电子束传输方向依次设置环形内直径均为76mm的第一腔体、第二腔体、第三腔体和第四腔体；所述第一腔体外直径为120mm，轴向长度为15mm；第二腔体外直径为100mm，轴向长度为15mm；第三腔体外直径为110mm，轴向长度为15mm；第四腔体外直径为110mm，轴向长度为15mm；第一腔体与第二腔体之间间隔为15mm；第二腔体与第三腔体之间间隔为35mm；第三腔体与第四腔体之间间隔为10mm；所述内导体直径为30mm。采用本发明的一种4GHz高功率微波器件其轴向结构尺寸极大简洁，具有小型化，轻量化的优点。
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公开(公告)号：CN110718429B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910923610.1
申请日：2019-09-27
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种双频三腔高功率微波器件，包括圆波导套筒及与圆波导套筒同轴的内导体；圆波导套筒内一端设置与圆波导套筒同轴的阴极，阴极的开口为环形，阴极的内直径为60mm,外直径为70mm；圆波导套筒沿电子束传输方向依次设置同内直径的反射腔、谐振腔和提取腔，反射腔、谐振腔和提取腔为设置在圆波导套筒筒壁的环形槽；微波器件轴向长度为130mm,最大直径为150mm，内导体直径为40mm；在400KV电压下阴极发射束流强度为7.0kA的环形电子束,环形电子束在0.4T的轴向磁场引导下在微波器件内传输，一个脉冲时间内可同时辐射产生频率为1.92GHz和2.2GHz的双频高功率微波。采用本发明的一种双频三腔高功率微波器件，具有小型化，重量轻，易调节的优点。
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公开(公告)号：CN110718428B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910923581.9
申请日：2019-09-27
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种4毫米波高功率微波器件，包括外套筒，外套筒内设置高频结构；高频结构沿电子束传播方向依次包括反射区、束流漂流区、正向束波转换区、相位调制区和反向束波转换区；正向束波转换区和反向束波转换区的剖面曲线为以相位调制区中心线对称分布的正弦曲线，正弦曲线的平均直径为14.0mm，周期为1.6mm；内直径9.4mm，外直径10mm，电压300kV，电流5.0kA的环形电子束在磁场强度0.62T的轴向磁场引导下在高频结构内传输，产生波长为4毫米的高功率微波，束波转换效率达到40％。采用本发明的一种4毫米波高功率微波器件，有效的提高了功率容量及微波峰值功率。
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公开(公告)号：CN110718425B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201910923247.3
申请日：2019-09-27
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种同轴高频高功率微波器件，包括圆波导套筒及与圆波导套筒同轴的内导体，所述圆波导套筒内设置高频结构；高频结构沿电子束传输方向依次设置同轴的反射区、束流预调制区、相位调制区和束波转换区；反射区、束流预调制区、相位调制区和束波转换区分别在圆波导套筒筒壁和内导体的对应位置上设置环形槽状的腔体，圆波导套筒筒壁和内导体对应位置的腔体构成反射腔、束流预调制腔、相位调制腔和束波转换腔；束波转换区之后设置径向向内凸出环形的收集极；电压400kV，电流9.0kA的环形电子束在磁场强度1.2T的轴向磁场引导下在微波器件内传输，产生70GHz的高频高功率微波。采用本发明的一种同轴高频高功率微波器件，可产生高频高功率微波,且有效提高了微波产生效率。
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