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公开(公告)号:CN111795649B
公开(公告)日:2021-08-10
申请号:CN202010503118.1
申请日:2020-06-05
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明公开了一种非接触测量光学晶体包边厚度的装置和方法,属于激光系统光学参数测量领域,平行光源发射的平行激光束入射至待测样品的包边和晶体内部,光线在包边和晶体内部沿直线传播,在界面处发生反射和散射,出射光经过物镜和目镜后,待测样品后表面光场分布成像至CCD相机,因界面处光线不能到达CCD相机,在像中对应的位置会出现暗区;CCD相机用于将采集的光场分布转化为图像,并传递给数据处理系统,数据处理系统计算出暗区到待测样品的包边边缘的长度,再根据成像系统放大比例,获得晶体包边厚度。本发明的非接触测量光学晶体包边厚度的装置和方法,结构简单、使用方便,快速直观,可弥补已有技术结构复杂和不能直接测量的不足。
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公开(公告)号:CN111795649A
公开(公告)日:2020-10-20
申请号:CN202010503118.1
申请日:2020-06-05
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明公开了一种非接触测量光学晶体包边厚度的装置和方法,属于激光系统光学参数测量领域,平行光源发射的平行激光束入射至待测样品的包边和晶体内部,光线在包边和晶体内部沿直线传播,在界面处发生反射和散射,出射光经过物镜和目镜后,待测样品后表面光场分布成像至CCD相机,因界面处光线不能到达CCD相机,在像中对应的位置会出现暗区;CCD相机用于将采集的光场分布转化为图像,并传递给数据处理系统,数据处理系统计算出暗区到待测样品的包边边缘的长度,再根据成像系统放大比例,获得晶体包边厚度。本发明的非接触测量光学晶体包边厚度的装置和方法,结构简单、使用方便,快速直观,可弥补已有技术结构复杂和不能直接测量的不足。
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公开(公告)号:CN212254005U
公开(公告)日:2020-12-29
申请号:CN202021025926.3
申请日:2020-06-05
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G01B11/06
Abstract: 本实用新型公开了一种非接触测量光学晶体包边厚度的装置,属于激光系统光学参数测量领域,平行光源发射的平行激光束入射至待测样品的包边和晶体内部,光线在包边和晶体内部沿直线传播,在界面处发生反射和散射,出射光经过物镜和目镜后,待测样品后表面光场分布成像至CCD相机,因界面处光线不能到达CCD相机,在像中对应的位置会出现暗区;CCD相机用于将采集的光场分布转化为图像,并传递给数据处理系统,数据处理系统计算出暗区到待测样品的包边边缘的长度,再根据成像系统放大比例,获得晶体包边厚度。本实用新型的非接触测量光学晶体包边厚度的装置,结构简单、使用方便,快速直观,可弥补已有技术结构复杂和不能直接测量的不足。
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