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公开(公告)号：CN106706038A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710019641.5
申请日：2017-01-11
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: G01D21/02
CPC classification number: G01D21/02
Abstract: 本发明公开了一种分析工艺参数对薄膜结构和性能影响机理的方法。所述方法采用中频磁控溅射技术在硅片和石英片上沉积了靶电流和气体流量不同的DLC和Ti‑DLC层，采用X射线衍射仪分析薄膜的成分；用分光光度计测量样品的透射率及吸收率；用拉曼光谱分析仪表征非晶碳层的价键结构；用三维白光表面轮廓仪检测膜层的表面粗糙度和厚度，考察靶电流和气体流量对薄膜结构及光学性能的影响，澄清工艺参数对薄膜结构和性能影响的机理。通过所述方法，可以清晰地考察靶电流和气体流量如何影响sp2‑C和sp3‑C结构变化、结构变化与涂层性能间的内在关系、金属掺杂对于薄膜结构和光学性能的作用机理，填补了理论和实践空白。
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