公开(公告)号：CN102241403A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110119438.8

申请日：2011-05-10

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 张泽朋 ,  张吉初 ,  廖立兵 ,  杜高翔

IPC: C01B33/44

Abstract: 本发明公开了阳离子-阴离子复合插层型有机蒙脱石极其制备方法，该方法包括以下步骤：提纯钙基蒙脱石；对钙基蒙脱石进行水化处理：将提纯后的钙基蒙脱石制成水悬浮液，通过机械搅拌与超声作用混合的方式进行水化处理；制备阳离子-阴离子复合插层型有机蒙脱石材料：使用有机阳离子型表面活性剂和阴离子型表面活性剂，分别在超声分散作用和机械搅拌作用下，依次对蒙脱石进行插层。本发明的有机蒙脱石层间距高达5.2nm以上，热稳定性高，在有机相中分散均匀，剥离程度高，性能优异，可作为一种性能优异的填料应用到制备高分子纳米复合材料领域。

公开(公告)号：CN102249255B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110119072.4

申请日：2011-05-10

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 廖立兵 ,  张泽朋 ,  刘晓明 ,  张吉初

IPC: C01B33/44

Abstract: 本发明公开了非离子-阴离子复合插层型有机蒙脱石及其制备方法，该方法包括以下步骤：提纯蒙脱石；对蒙脱石进行水化处理：将提纯后的蒙脱石制成水悬浮液，通过机械搅拌与超声作用混合的方式进行水化处理；制备非离子-阴离子复合插层型有机蒙脱石材料：使用有机非离子型表面活性剂和阴离子型表面活性剂，在超声分散作用和机械搅拌作用下，协同对蒙脱石进行插层。本发明的有机蒙脱石层间距高，热稳定性高，在有机相中分散均匀，剥离程度高，性能优异，可作为一种性能优异的填料应用到制备高分子纳米复合材料领域。

公开(公告)号：CN102249255A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110119072.4

申请日：2011-05-10

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 廖立兵 ,  张泽朋 ,  刘晓明 ,  张吉初

IPC: C01B33/44

Abstract: 本发明公开了非离子-阴离子复合插层型有机蒙脱石极其制备方法，该方法包括以下步骤：提纯蒙脱石；对蒙脱石进行水化处理：将提纯后的蒙脱石制成水悬浮液，通过机械搅拌与超声作用混合的方式进行水化处理；制备非离子-阴离子复合插层型有机蒙脱石材料：使用有机非离子型表面活性剂和阴离子型表面活性剂，在超声分散作用和机械搅拌作用下，协同对蒙脱石进行插层。本发明的有机蒙脱石层间距高，热稳定性高，在有机相中分散均匀，剥离程度高，性能优异，可作为一种性能优异的填料应用到制备高分子纳米复合材料领域。

公开(公告)号：CN102219231A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110119074.3

申请日：2011-05-10

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 张泽朋 ,  张吉初 ,  廖立兵 ,  夏志国

IPC: C01B33/44

Abstract: 本发明公开了阳离子-非离子复合插层型有机蒙脱石极其制备方法，该方法包括以下步骤：提纯钙基蒙脱石；对钙基蒙脱石进行水化处理：将提纯后的钙基蒙脱石制成水悬浮液，通过机械搅拌与超声作用混合的方式进行水化处理；制备阳离子-非离子复合插层型有机蒙脱石材料：使用有机阳离子型表面活性剂和非离子型表面活性剂，分别在超声分散作用和机械搅拌作用下，依次对蒙脱石进行插层。本发明的有机蒙脱石层间距高达4.6nm以上，热稳定性高，在有机相中分散均匀，剥离程度高，性能优异，可作为一种性能优异的填料应用到制备高分子纳米复合材料领域。

公开(公告)号：CN104211076B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201310219527.9

申请日：2013-06-04

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 张泽朋 ,  赵同 ,  庄官政 ,  张吉初 ,  廖立兵

IPC: C01B33/44

Abstract: 本发明公开了制备插层型有机蒙脱石的半干法，该方法包括以下步骤：提纯蒙脱石；将提纯的蒙脱石与改性剂、水混合后球磨处理。本发明的方法工艺简单、反应时间短、无废水排出、制备的有机蒙脱石层间距大、晶格规整度好。

公开(公告)号：CN102219231B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110119074.3

申请日：2011-05-10

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 张泽朋 ,  张吉初 ,  廖立兵 ,  夏志国

IPC: C08L29/04 ,  C01B33/44

Abstract: 本发明公开了阳离子-非离子复合插层型有机蒙脱石极其制备方法，该方法包括以下步骤：提纯钙基蒙脱石；对钙基蒙脱石进行水化处理：将提纯后的钙基蒙脱石制成水悬浮液，通过机械搅拌与超声作用混合的方式进行水化处理；制备阳离子-非离子复合插层型有机蒙脱石材料：使用有机阳离子型表面活性剂和非离子型表面活性剂，分别在超声分散作用和机械搅拌作用下，依次对蒙脱石进行插层。本发明的有机蒙脱石层间距高达4.6nm以上，热稳定性高，在有机相中分散均匀，剥离程度高，性能优异，可作为一种性能优异的填料应用到制备高分子纳米复合材料领域。

公开(公告)号：CN104211076A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201310219527.9

申请日：2013-06-04

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 张泽朋 ,  赵同 ,  庄官政 ,  张吉初 ,  廖立兵

IPC: C01B33/44

Abstract: 本发明公开了制备插层型有机蒙脱石的半干法，该方法包括以下步骤：提纯蒙脱石；将提纯的蒙脱石与改性剂、水混合后球磨处理。本发明的方法工艺简单、反应时间短、无废水排出、制备的有机蒙脱石层间距大、晶格规整度好。

公开(公告)号：CN102241403B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201110119438.8

申请日：2011-05-10

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 张泽朋 ,  张吉初 ,  廖立兵 ,  杜高翔

IPC: C01B33/44

Abstract: 本发明公开了阳离子-阴离子复合插层型有机蒙脱石极其制备方法，该方法包括以下步骤：提纯钙基蒙脱石；对钙基蒙脱石进行水化处理：将提纯后的钙基蒙脱石制成水悬浮液，通过机械搅拌与超声作用混合的方式进行水化处理；制备阳离子-阴离子复合插层型有机蒙脱石材料：使用有机阳离子型表面活性剂和阴离子型表面活性剂，分别在超声分散作用和机械搅拌作用下，依次对蒙脱石进行插层。本发明的有机蒙脱石层间距高达5.2nm以上，热稳定性高，在有机相中分散均匀，剥离程度高，性能优异，可作为一种性能优异的填料应用到制备高分子纳米复合材料领域。