公开(公告)号：CN119403249A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411474520.6

申请日：2024-10-22

Applicant: 中南民族大学 ,  华中科技大学同济医学院附属协和医院

Inventor： 王皓宁 ,  李云龙 ,  龙浩 ,  杨晶 ,  杨志勇 ,  杨春勇 ,  侯金 ,  邱学军 ,  钟志有

IPC: H10F30/292 ,  H10F77/12 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，特别涉及一种半导体X射线探测器的制备方法，通过采用自由电子密度逐级增加的PNN型双内建电场构型，增强了内建电场的强度，同时扩大了内建电场输运电子的能力，在没有外加电源的情形下，通过X射线的康普顿效应及光生伏打效应实现自体供能，完成X射线的探测。该探测器内建电场足够强，对X射线能量的吸收和载流子的输运优于传统X射线探测器，探测灵敏；由于不带电源，该探测器具备无功耗、故障率低且重量轻、体积小、便于携带的技术效果。本发明还提供一种存储有该方法程序的非暂态可读记录媒体及包含该媒体的系统，通过处理电路可以调用程序，执行上述方法。