公开(公告)号：CN105161615A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510561180.5

申请日：2015-09-06

Applicant: 中南大学

Inventor： 黄小忠 ,  谭飞龙 ,  蒋礼 ,  成雨果 ,  肖路军 ,  邹杨君 ,  韦永山

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于纤维衬底的忆阻器及其制备方法，该忆阻器由上至下依次为柔性纤维衬底I、隔离层I、上电极、存储介质层薄膜、下电极、隔离层II和柔性纤维衬底II；忆阻器的制备方法是在柔性纤维衬底I表面依次沉积隔离层I和上电极，记为部件A；在柔性纤维衬底II表面依次沉积隔离层II、下电极和存储介质层薄膜，记为部件B；将部件A和部件B以任意角度接触，在接触处形成忆阻器。该忆阻器具有良好的柔韧性、可弯曲、质量轻的特点，有利于推动电子产品的轻型化发展；与现有的CMOS工艺兼容，且其制备方法简单，生产效率高，成本低，满足大规模生产的需求，具有产业化价值。

公开(公告)号：CN105161615B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201510561180.5

申请日：2015-09-06

Applicant: 中南大学

Inventor： 黄小忠 ,  谭飞龙 ,  蒋礼 ,  成雨果 ,  肖路军 ,  邹杨君 ,  韦永山

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于纤维衬底的忆阻器及其制备方法，该忆阻器由上至下依次为柔性纤维衬底I、隔离层I、上电极、存储介质层薄膜、下电极、隔离层II和柔性纤维衬底II；忆阻器的制备方法是在柔性纤维衬底I表面依次沉积隔离层I和上电极，记为部件A；在柔性纤维衬底II表面依次沉积隔离层II、下电极和存储介质层薄膜，记为部件B；将部件A和部件B以任意角度接触，在接触处形成忆阻器。该忆阻器具有良好的柔韧性、可弯曲、质量轻的特点，有利于推动电子产品的轻型化发展；与现有的CMOS工艺兼容，且其制备方法简单，生产效率高，成本低，满足大规模生产的需求，具有产业化价值。