公开(公告)号：CN114836044A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210507920.7

申请日：2022-05-10

Applicant: 中南大学

Inventor： 黄启忠 ,  廖明东 ,  苏哲安 ,  沈国波 ,  胡协波 ,  钟城浩

IPC: C08L83/16 ,  C08K3/30 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种聚甲基硅烷的改性方法及其应用，用二维层状金属硫化物对聚甲基硅烷进行改性，并应用该改性聚甲基硅烷来制备SiC纳米线原位修饰的SiC‑MSi2复相陶瓷，具体包括改性聚甲基硅烷的交联固化和高温陶瓷化两个阶段。二维层状金属硫化物既可作为惰性填料改性聚甲基硅烷，缓解陶瓷交联固化中的体积收缩，进而提高致密度；也可利用其良好的自润滑特性，增强改性样品的流动性和可加工性；此外，通过二维层状难熔金属硫化物引入不同的第二相难熔金属硅化物陶瓷，可以调节聚甲基硅烷裂解陶瓷中富余硅的含量，抑制SiC晶粒的长大，改变了碳化硅纳米线的生长方式，在复相陶瓷表面得到一层致密的碳化硅纳米线，避免了陶瓷开裂现象并提高了抗高温氧化能力。

公开(公告)号：CN114836044B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202210507920.7

申请日：2022-05-10

Applicant: 中南大学

Inventor： 黄启忠 ,  廖明东 ,  苏哲安 ,  沈国波 ,  胡协波 ,  钟城浩

IPC: C08L83/16 ,  C08K3/30 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种聚甲基硅烷的改性方法及其应用，用二维层状金属硫化物对聚甲基硅烷进行改性，并应用该改性聚甲基硅烷来制备SiC纳米线原位修饰的SiC‑MSi2复相陶瓷，具体包括改性聚甲基硅烷的交联固化和高温陶瓷化两个阶段。二维层状金属硫化物既可作为惰性填料改性聚甲基硅烷，缓解陶瓷交联固化中的体积收缩，进而提高致密度；也可利用其良好的自润滑特性，增强改性样品的流动性和可加工性；此外，通过二维层状难熔金属硫化物引入不同的第二相难熔金属硅化物陶瓷，可以调节聚甲基硅烷裂解陶瓷中富余硅的含量，抑制SiC晶粒的长大，改变了碳化硅纳米线的生长方式，在复相陶瓷表面得到一层致密的碳化硅纳米线，避免了陶瓷开裂现象并提高了抗高温氧化能力。

公开(公告)号：CN116477950B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310416776.0

申请日：2023-04-18

Applicant: 中南大学

Inventor： 黄启忠 ,  沈国波 ,  苏哲安 ,  廖明东 ,  钟城浩 ,  胡协波

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种SiC‑MC复相陶瓷先驱体及其复相陶瓷的制备方法，包括如下步骤：以M(Zr，Ti，Hf)Clx金属氯化物作为超高温陶瓷金属源，以苯丙烯醇为碳源，以富Si‑H键聚硅烷高分子为硅源，二甲苯作为反应介质，加热回流，反应制得SiC‑M(Zr，Ti，Hf)C陶瓷先驱体，将此先驱体固化，高温裂解无机化最终制得SiC‑M(Zr，Ti，Hf)C复相陶瓷。本发明将金属氯化物醇解反应与硅氢加成反应相结合，制备条件温和，过程可控性高，组分易调节，制得M(Zr，Ti，Hf)C、SiC晶相分布均匀、相互嵌入。

公开(公告)号：CN116477950A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310416776.0

申请日：2023-04-18

Applicant: 中南大学

Inventor： 黄启忠 ,  沈国波 ,  苏哲安 ,  廖明东 ,  钟城浩 ,  胡协波

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种SiC‑MC复相陶瓷先驱体及其复相陶瓷的制备方法，包括如下步骤：以M(Zr，Ti，Hf)Clx金属氯化物作为超高温陶瓷金属源，以苯丙烯醇为碳源，以富Si‑H键聚硅烷高分子为硅源，二甲苯作为反应介质，加热回流，反应制得SiC‑M(Zr，Ti，Hf)C陶瓷先驱体，将此先驱体固化，高温裂解无机化最终制得SiC‑M(Zr，Ti，Hf)C复相陶瓷。本发明将金属氯化物醇解反应与硅氢加成反应相结合，制备条件温和，过程可控性高，组分易调节，制得M(Zr，Ti，Hf)C、SiC晶相分布均匀、相互嵌入。