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公开(公告)号：CN105883903A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410460652.3
申请日：2014-09-12
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种一维II?VI族半导体核壳纳米结构的制备方法，一维纳米结构主要为纳米线和纳米带。本发明采用磁力驱动的化学气相沉积法，以两种II?VI族非氧化物半导体粉末材料为原料，通入Ar/H2混合气作为载气，通过在密封石英管外的磁力驱动装置控制粉末原料和沉积基片位置和温度的方法制备出一维半导体沿径向排列的核壳异质结的纳米线/带。通过控制生长参数，包括生长温度和时间、沉积温度、载气流速和升温速率等条件来控制样品的尺寸与形貌。该实验方法设计合理、操作简单、可控性强，适用于多数II?VI族半导体沿径向排列形成核壳纳米线或核壳纳米带的制备。本发明方法制备的核壳纳米线/带在微型太阳能电池、纳米激光器等方面有广阔的应用前景。
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