公开(公告)号：CN116744774A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310636762.X

申请日：2023-05-31

Applicant: 中南大学

Inventor： 夏庆林 ,  冯倩倩 ,  钟绵增 ,  郭光华 ,  罗紫彦

IPC: H10N52/85 ,  H10N52/01 ,  C01B19/00 ,  H01F1/03 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明提供了一种铁钽硒磁性材料、霍尔器件及其制备方法。该铁钽硒磁性材料为单晶，铁钽硒磁性材料的化学结构式为FexTaSe2，其中，0.1≤x≤0.5。本工作的实验结果为插层过渡金属二卤族化合物FexTaSe2的磁性和磁电输运特性提供了重要信息，可为未来不同磁性元素M(M＝Fe,Co,Ni等)含量的MxTaSe2化合物的磁性和磁电输运特性研究提供参考。

公开(公告)号：CN118330522A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410238387.8

申请日：2024-03-03

Applicant: 中南大学

Inventor： 丁金民 ,  郭光华 ,  罗紫彦

IPC: G01R33/09 ,  G01B7/30

Abstract: 本发明提供了一种Fe5GeTe2材料的应用、磁阻角度传感器及其应用。本申请提供了一种Fe5GeTe2材料在磁阻角度传感器中的应用，所述磁阻角度传感器中磁阻片的材料为Fe5GeTe2层状材料，所述Fe5GeTe2层状材料的平均厚度为17nm～188nm。其在一定温度和磁场强度的条件下，随着Fe5GeTe2材料所在平面与磁场方向二者之间夹角的变化，Fe5GeTe2材料的纵向电阻和霍尔电阻会产生明显变化，基于此，Fe5GeTe2材料可应用于磁阻角度传感器，角度检测范围最高可达360度。采用上述磁阻片的磁阻角度传感器具有反应灵敏，分辨率高，检测范围广，适用面宽，结构微小的特性，扩大了Fe5GeTe2材料的应用范围。