C/C复合材料表面ZrC-SiC涂层制备方法

    公开(公告)号:CN105218156A

    公开(公告)日:2016-01-06

    申请号:CN201510653315.0

    申请日:2015-10-11

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 一种C/C复合材料表面ZrC-SiC涂层制备方法,将Zr、Si与助渗剂、造渣剂粉末,经真空球磨、真空干燥并过筛后,获得混合均匀的Zr-Si-助渗剂-造渣剂混合粉末;将PVA粉末溶于酒精,获得PVA酒精溶液;Zr-Si-助渗剂-造渣剂混合粉末和PVA酒精溶液经磁力搅拌后,形成Zr-Si-助渗剂-造渣剂陶瓷浆料;将陶瓷浆料涂覆C/C复合材料基体表面;高温烧结,保温,然后随炉冷。本发明将陶瓷浆料原位涂覆在大型异形构件表面,使Zr-Si涂层能够在C/C构件表面形成原位反应层;同时,多余的陶瓷浆料能很容易的从原位反应生成的陶瓷涂层上剥离,容易在大尺寸异形C/C复合材料构件表面实现工程化。

    C/C复合材料表面ZrC‑SiC涂层制备方法

    公开(公告)号:CN105218156B

    公开(公告)日:2017-07-14

    申请号:CN201510653315.0

    申请日:2015-10-11

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 一种C/C复合材料表面ZrC‑SiC涂层制备方法,将Zr、Si与助渗剂、造渣剂粉末,经真空球磨、真空干燥并过筛后,获得混合均匀的Zr‑Si‑助渗剂‑造渣剂混合粉末;将PVA粉末溶于酒精,获得PVA酒精溶液;Zr‑Si‑助渗剂‑造渣剂混合粉末和PVA酒精溶液经磁力搅拌后,形成Zr‑Si‑助渗剂‑造渣剂陶瓷浆料;将陶瓷浆料涂覆C/C复合材料基体表面;高温烧结,保温,然后随炉冷。本发明将陶瓷浆料原位涂覆在大型异形构件表面,使Zr‑Si涂层能够在C/C构件表面形成原位反应层;同时,多余的陶瓷浆料能很容易的从原位反应生成的陶瓷涂层上剥离,容易在大尺寸异形C/C复合材料构件表面实现工程化。

    一种低摩擦纳米TaC增强炭基复相薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN105839070B

    公开(公告)日:2018-01-23

    申请号:CN201610062798.1

    申请日:2016-01-29

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 一种低摩擦纳米TaC增强炭基复相薄膜的制备方法,先将石墨基体放置于化学气相沉积炉中,抽真空至100pa以下,升温至温度900~1200℃后保温;通入制备C和TaC的TaCl5‑Ar‑C3H6反应气体体系,并由Ar载入反应器中,TaCl5载气的Ar流量为0.04~0.40L/min‑1,丙烯流量为0.2~1.2L/min‑1;沉积过程中C、TaC沉积到石墨基体表层,形成热解碳包裹着纳米TaC晶粒3‑20层的复相多层薄膜、TaC质量分数为5.0%~25.0%,厚度为6~30μm的C‑TaC复相薄膜。本发明获得纳米级的复相多层结构使得薄膜具有硬度高、摩擦系数低、高耐磨、热导率高、热膨胀系数低、化学稳定性好以及抗氧化性好。

    一种低摩擦纳米TaC增强炭基复相薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN105839070A

    公开(公告)日:2016-08-10

    申请号:CN201610062798.1

    申请日:2016-01-29

    Applicant: 中南大学

    CPC classification number: C23C16/26 C23C16/32

    Abstract: 一种低摩擦纳米TaC增强炭基复相薄膜的制备方法,先将石墨基体放置于化学气相沉积炉中,抽真空至100pa以下,升温至温度900~1200℃后保温;通入制备C和TaC的TaCl5?Ar?C3H6反应气体体系,并由Ar载入反应器中,TaCl5载气的Ar流量为0.04~0.40L/min?1,丙烯流量为0.2~1.2L/min?1;沉积过程中C、TaC沉积到石墨基体表层,形成热解碳包裹着纳米TaC晶粒3?20层的复相多层薄膜、TaC质量分数为5.0%~25.0%,厚度为6~30μm的C?TaC复相薄膜。本发明获得纳米级的复相多层结构使得薄膜具有硬度高、摩擦系数低、高耐磨、热导率高、热膨胀系数低、化学稳定性好以及抗氧化性好。

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