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公开(公告)号：CN111834028B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202010835989.3
申请日：2020-08-19
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了硅三聚体纳米光镊结构及纳米颗粒捕获移动的方法，包括用于吸收激光光场中产生的焦耳热的硅基底；位于基底上，用于与激光作用形成局域电场，将纳米颗粒进行捕获的硅三聚体；用于与硅三聚体作用产生消逝场的平面光波。计算纳米颗粒在硅三聚体纳米光镊结构所在光场的电场增强分布，光力和势能可以定量分析被捕获纳米颗粒的最小尺寸以及捕获位置。改变激光的偏振可以实现硅三聚体中热点位置的变换，从而改变硅三聚体中纳米颗粒的捕获位置，实现纳米颗粒在硅三聚体中移动的功能。实现了纳米级别的微观颗粒操纵，有利于应用到操纵手性粒子，进行纳米级别的测量。
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公开(公告)号：CN111834028A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010835989.3
申请日：2020-08-19
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了硅三聚体纳米光镊结构及纳米颗粒捕获移动的方法，包括用于吸收激光光场中产生的焦耳热的硅基底；位于基底上，用于与激光作用形成局域电场，将纳米颗粒进行捕获的硅三聚体；用于与硅三聚体作用产生消逝场的平面光波。计算纳米颗粒在硅三聚体纳米光镊结构所在光场的电场增强分布，光力和势能可以定量分析被捕获纳米颗粒的最小尺寸以及捕获位置。改变激光的偏振可以实现硅三聚体中热点位置的变换，从而改变硅三聚体中纳米颗粒的捕获位置，实现纳米颗粒在硅三聚体中移动的功能。实现了纳米级别的微观颗粒操纵，有利于应用到操纵手性粒子，进行纳米级别的测量。
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