公开(公告)号：CN114068478A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111355069.2

申请日：2021-11-16

Applicant: 长沙安牧泉智能科技有限公司 ,  中南大学

Inventor： 朱文辉 ,  陈华鹏 ,  腾晓东 ,  汪炼成 ,  孙国辽

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明公开了一种微铜柱结构，包括微铜柱主体、锡焊帽、背金属化层，所述锡焊帽设于微铜柱主体的一端，通过锡焊帽使微铜柱主体的一端与其余元器件焊接；所述背金属化层设于微铜柱主体相对锡焊帽的另一端，所述背金属化层外层设有微铜柱钝化层，通过微铜柱钝化层使微铜柱主体的另一端与其余元器件焊接。本发明能够在功率器件双面模块中解决大面积焊料运用于不对称芯片的焊点过薄和焊点断开问题，能极大的满足焊接平整度和稳定性要求。

公开(公告)号：CN214336714U

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202120681743.5

申请日：2021-04-02

Applicant: 中南大学 ,  长沙安牧泉智能科技有限公司

Inventor： 朱文辉 ,  孙国辽 ,  汪炼成 ,  彭程

IPC: H01L25/18

Abstract: 本实用新型公开了一种功率模块倒装芯片垂直堆叠结构，包括IGBT芯片、二极管芯片、铜片、Spacer层、DBC基板、接线端子，所述IGBT芯片设于所述二极管芯片下方，所述IGBT芯片下端设有连接层；所述铜片上下两端设置的第一纳米银烧结层与第二纳米银烧结层分别与所述二极管芯片的下端面、所述IGBT芯片的上端面联结；所述Spacer层上下两端分别设有焊料层和第三纳米银烧结层，所述Spacer层通过所述第三纳米银烧结层与所述二极管芯片上端面联结；所述DBC基板与焊料层、连接层的外端面联接；所述接线端子分别与所述DBC基板及铜片联接并穿出设置的塑封。本实用新型将IGBT芯片倒装并与二极管芯片堆叠，可进一步缩小电源封装模块体积，并进一步提高功率密度。

公开(公告)号：CN222867651U

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202421762086.7

申请日：2024-07-24

Applicant: 中南大学

Inventor： 汪炼成 ,  范益 ,  孙国辽 ,  刘洪伟 ,  蔡钊 ,  林蕴

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/603

Abstract: 本实用新型公开了一种引线键合真空吸装定位夹具，它包括底座、置放板、压板、压紧件和锁紧件；置放板固定于底座上，置放板上开有真空吸槽；压板盖于置放板上，将各真空吸槽隔开，压板通过可调压紧位置和压紧力度的压紧件和锁紧件固定于置放板上。本实用新型通过改善后的压板形成多个单点压固窗口，使压板压合于加热块及引线框架上时，每个压固窗口对应压合于一个芯片周围的芯片引线焊接区上，且能够保证每颗芯片的引脚都受到所述压固窗口的底部压口固定，避免引脚浮动并留出足够的焊线空间进行引线键合，有效提高引线键合制程的键合质量与产品良率。

公开(公告)号：CN217740524U

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202221599727.2

申请日：2022-06-23

Applicant: 长沙安牧泉智能科技有限公司 ,  中南大学

Inventor： 朱文辉 ,  陈华鹏 ,  孙国辽 ,  汪炼成

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本实用新型提供了一种凸台式衬板模块结构，涉及功率模块封装领域，包括：上下设置的上衬板和下衬板，所述上衬板和下衬板相对的面均设置有凸台，所述上衬板和下衬板之间设置有垫块，所述上衬板的凸台与所述垫块相连接，所述上衬板与所述垫块形成的空间内设置有上层焊料，所述垫块的下表面向下依次设置有中间层焊料和功率芯片，所述下衬板的凸台与所述功率芯片连接，所述下衬板与所述功率芯片之间设置有下层焊料，在本申请中在上衬板和下衬板上设置有凸台，凸台与功率芯片接触，在本结构进行焊接组装时，上层焊料和下层焊料与凸台的接触面积更大，可以有效的增大热交换面积，提高了散热能力。

公开(公告)号：CN217571222U

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202221599702.2

申请日：2022-06-23

Applicant: 长沙安牧泉智能科技有限公司 ,  中南大学

Inventor： 朱文辉 ,  陈华鹏 ,  孙国辽 ,  汪炼成

IPC: B23K3/08 ,  B23K37/04

Abstract: 本实用新型提供了一种用于双面散热功率模块的一次回流夹具，涉及双面功率模块生产领域，包括：底板，两个定位组件，设置在底板的X方向上，两个所述定位组件可以相互靠近，所述定位组件包括上定高块和下定高块，所述上定高块和下定高块在Z方向上的距离可变；两个夹持组件，设置在底板的Y方向上，两个夹持组件在Y方向上移动并对工件进行夹持，本申请用于一次回流工艺，可以控制焊层厚度并且保证底部焊层不会因为重力作用过度塌陷，保证双面散热功率模块回流工艺的合格率，而且通过上定高块和下定高块调整焊层的厚度和平整度。

公开(公告)号：CN216250703U

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202122804551.1

申请日：2021-11-16

Applicant: 长沙安牧泉智能科技有限公司 ,  中南大学

Inventor： 朱文辉 ,  孙国辽 ,  汪炼成 ,  彭程 ,  陈华鹏 ,  刘校峰

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/00

Abstract: 本实用新型公开了一种桥式缓冲层及双面散热倒装芯片功率模块，包括左缓冲层、右缓冲层、中间缓冲层，所述中间缓冲层设于左缓冲层和右缓冲层之间，其两端分别与左缓冲层、右缓冲层连接形成桥式结构。本实用新型通过采用桥式结构，可将热量通过侧边导出，且上下接触面处为圆形，可有效降低应力集中问题，提高双面散热模块可靠性。