公开(公告)号：CN118926548A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411018661.7

申请日：2024-07-29

Applicant: 中南大学

Inventor： 高成德 ,  姚雄 ,  帅词俊

IPC: B22F10/28 ,  C22C38/00 ,  C22C38/02 ,  C22C33/02 ,  B22F10/366 ,  H10N35/85 ,  B33Y10/00

Abstract: 本发明涉及一种激光粉末床熔融制备Si掺杂磁致伸缩Fe‑Ga合金的方法，属于增材制造领域。本发明首次提出激光粉末床熔融技术制备具有电阻率和磁致伸缩应变最佳组合的多晶Fe‑Ga‑Si合金，所制备的合金显示出增强的电子散射效应和减少的传导电子数量，以及 择优取向柱状晶粒，获得了电阻率(104.5±4.1μΩ·cm)和磁致伸缩应变(73ppm)的最优组合。本发明不仅赋予了合金增强的电阻率和磁致伸缩应变，也能够实现外形和结构的个性化定制，为优良综合性能和个性化结构的磁致伸缩合金一体化制造提供新的见解。同时，本发明成分简单、工艺可控，便于大规模工业化应用。

公开(公告)号：CN117431451A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311419719.4

申请日：2023-10-30

Applicant: 中南大学

Inventor： 高成德 ,  姚雄 ,  帅词俊

IPC: C22C33/02 ,  B22F10/28 ,  B22F10/64 ,  B33Y10/00 ,  C21D6/00 ,  C21D1/26

Abstract: 本发明涉及一种激光粉末床熔融与磁场退火制备磁致伸缩Fe‑Ga合金的方法，属于增材制造和智能材料领域。本发明提出利用激光粉末床熔融与磁场退火的组合工艺来制备磁致伸缩应变与灵敏度协同增强的Fe‑Ga合金。本发明所制备的多晶Fe‑Ga合金显示出 柱状晶粒和90°条形畴，低位错密度，其磁致伸缩应变为92ppm，灵敏度为0.097ppm/Oe，有效兼顾了磁致伸缩应变与磁致伸缩灵敏度性能。这一全新策略为解决Fe‑Ga合金的应变‑灵敏度矛盾，实现多晶Fe‑Ga合金高磁致伸缩性能和个性化结构的一体化制造奠定了基础。