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公开(公告)号：CN103357889B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310302393.7
申请日：2013-07-15
Applicant: 中南大学
Abstract: 本专利公开了一种合成高长宽比银纳米线的方法，即通过一次性加入银盐进行还原反应，就可以获得平均长度超过52μm、平均长宽比超过400的银纳米线。本方法不需要对反应物的加入速率做精确控制，所合成的银纳米线分散性好，均匀度高，银纳米线的平均长宽比相比于传统多元醇法提高了5倍以上，在透明柔性塑料衬底上制备柔性透明导电薄膜，其可见光透过率高于90%，方块电阻低于10Ω/□。相对于传统多元醇法而言，本方法工艺控制简单，重复性高，有利于高长宽比银纳米线的批量生产。
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公开(公告)号：CN103357889A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310302393.7
申请日：2013-07-15
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种合成高长宽比银纳米线的方法，即通过一次性加入银盐进行还原反应，就可以获得平均长度超过52μm、平均长宽比超过400的银纳米线。本方法不需要对反应物的加入速率做精确控制，所合成的银纳米线分散性好，均匀度高，银纳米线的平均长宽比相比于传统多元醇法提高了5倍以上，在透明柔性塑料衬底上制备柔性透明导电薄膜，其可见光透过率高于90%，方块电阻低于10Ω/□。相对于传统多元醇法而言，本方法工艺控制简单，重复性高，有利于高长宽比银纳米线的批量生产。
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公开(公告)号：CN104021840A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410272336.3
申请日：2014-06-18
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种低温固化的高导电银浆与其制备方法，以及由这种低温固化的高导电银浆制得的导电薄膜及其制备方法。低温固化的高导电银浆采用银纳米线作为导电基元与有机粘接剂共混而成，所述银纳米线长度范围为1～20μm，截面直径范围为10～300nm，所述有机粘接剂为聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚乙二醇、羟甲基纤维素、甲基纤维素中的一种、两种或多种的共混物，银纳米线量为50wt%。所制备的薄膜方块电阻低于0.1ohm/sq，体电阻率达2x10-5Ω·cm，铅笔硬度达9H，且具有良好的抗弯曲疲劳性能。与现有技术相比，本发明的优点在于：可以低温固化，并且导电率较高，可广泛应用于各种消费电子设备当中。
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