公开(公告)号：CN114512550A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202111650011.0

申请日：2021-12-30

Applicant: 中南大学

Inventor： 孙佳 ,  靳晨星 ,  阳军亮 ,  周博升

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/113 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种具有负光电导效应的晶体管及其制备方法，晶体管包括基底和设置于基底之上的半导体层；半导体层上连接有电极，半导体层的全部和电极的部分被一栅介质层包覆，电极一端埋置于栅介质层内，另一端伸出至栅介质层外；半导体层为金属氧化物半导体层；栅介质层为离子胶固化得到的高单位电容栅介质。晶体管具备在单一金属氧化物半导体层晶体管中呈现负光电导现象。本发明使用特定的掩膜，采用磁控溅射制备半导体层阵列；采用热蒸发法沉积电极层阵列；最后通过丝网印刷栅介质层阵列。简化了工艺流程、降低了生产要求和成本，有利于晶体管阵列产业化生产，制得的晶体管拥有较大的回滞窗口，电流开关比可达到104，回扫亚阈值摆幅SS小于60mV/decade。

公开(公告)号：CN114512550B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202111650011.0

申请日：2021-12-30

Applicant: 中南大学

Inventor： 孙佳 ,  靳晨星 ,  阳军亮 ,  周博升

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/113 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种具有负光电导效应的晶体管及其制备方法，晶体管包括基底和设置于基底之上的半导体层；半导体层上连接有电极，半导体层的全部和电极的部分被一栅介质层包覆，电极一端埋置于栅介质层内，另一端伸出至栅介质层外；半导体层为金属氧化物半导体层；栅介质层为离子胶固化得到的高单位电容栅介质。晶体管具备在单一金属氧化物半导体层晶体管中呈现负光电导现象。本发明使用特定的掩膜，采用磁控溅射制备半导体层阵列；采用热蒸发法沉积电极层阵列；最后通过丝网印刷栅介质层阵列。简化了工艺流程、降低了生产要求和成本，有利于晶体管阵列产业化生产，制得的晶体管拥有较大的回滞窗口，电流开关比可达到104，回扫亚阈值摆幅SS小于60mV/decade。(56)对比文件Mami N. Fujii et al.,.High-densitycarrier-accumulated and electricallystable oxide thinfilm transistors fromion-gel gate dielectric《.ScientificReports》.2015,第5卷全文.Chenxing Jin et al.,.ArtificialVision Adaption Mimicked by anOptoelectrical In2O3 Transistor Array.《Nano Letters》.2022,第22卷3372−3379.张文俊,艾广勤,宋淑琴,赵俊芬.用于GaAsFET的多层结构汽相外延生长.半导体技术.1981,(02),全文.