公开(公告)号：CN113321522A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202110725180.X

申请日：2021-06-29

Applicant: 中南大学

Inventor： 陈招科 ,  熊翔 ,  吴宗绪 ,  王浩然

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种原位生长SiC纳米线改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法和应用，所述制备方法为将含金属镀层的石墨片与碳纤维预制体在不接触的情况下共同置于化学气相沉积炉，通过化学气相沉积于碳纤维预制体的孔隙及表面原位生长SiC纳米线，获得带SiC纳米线的SiC纤维预制体，再通过化学气相沉积获得SiC基体，即得SiC纳米线改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料，本发明通过间接引入金属催化剂，金属催化剂呈气相扩散到SiC纤维预制体的表面以及内部孔隙，催化剂分布更加均匀，催化生长的SiC纳米线密度适中。得到的含SiC纳米线SiCf/SiC复合材料，最大压溃载荷可达1175.0N，与现有技术中的SiC纳米线改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料相比，本发明所得管状SiCf/SiC复合材料压溃性能大幅提升。

公开(公告)号：CN116444296B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310490851.8

申请日：2023-05-04

Applicant: 中南大学

Inventor： 陈招科 ,  宋威龙 ,  熊翔 ,  丁家鑫 ,  吴宗绪 ,  罗怀德

IPC: C04B41/87

Abstract: 本发明公开了一种利用熔盐法在石墨基体上制备碳化钽涂层的方法，包括以下步骤：对石墨片进行超声清洗处理，然后将熔盐和Ta2O5粉末放入研钵中搅拌均匀；将混合均匀的熔盐和Ta2O5粉末与石墨片放入密闭石墨坩埚中，然后将石墨坩埚烘干；将烘干后的石墨坩埚放入反应炉中，打开真空泵抽真空，高温条件下保温；然后通入惰性气体，高温烧结处理，处理完成后关闭电源自然冷却炉温，获得含有致密碳化钽涂层的石墨基体复合材料。本发明采用上述制备碳化钽涂层的方法，制备的碳化钽涂层化学成分和分布均匀、物相纯度高、晶体形貌好，并且碳化钽具有高熔点、高硬度和良好的抗热震性的特点，对石墨基体的力学性能和热物理性起到强化效果。

公开(公告)号：CN116444296A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310490851.8

申请日：2023-05-04

Applicant: 中南大学

Inventor： 陈招科 ,  宋威龙 ,  熊翔 ,  丁家鑫 ,  吴宗绪 ,  罗怀德

IPC: C04B41/87

Abstract: 本发明公开了一种利用熔盐法在石墨基体上制备碳化钽涂层的方法，包括以下步骤：对石墨片进行超声清洗处理，然后将熔盐和Ta2O5粉末放入研钵中搅拌均匀；将混合均匀的熔盐和Ta2O5粉末与石墨片放入密闭石墨坩埚中，然后将石墨坩埚烘干；将烘干后的石墨坩埚放入反应炉中，打开真空泵抽真空，高温条件下保温；然后通入惰性气体，高温烧结处理，处理完成后关闭电源自然冷却炉温，获得含有致密碳化钽涂层的石墨基体复合材料。本发明采用上述制备碳化钽涂层的方法，制备的碳化钽涂层化学成分和分布均匀、物相纯度高、晶体形貌好，并且碳化钽具有高熔点、高硬度和良好的抗热震性的特点，对石墨基体的力学性能和热物理性起到强化效果。

公开(公告)号：CN113321522B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202110725180.X

申请日：2021-06-29

Applicant: 中南大学

Inventor： 陈招科 ,  熊翔 ,  吴宗绪 ,  王浩然

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种原位生长SiC纳米线改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法和应用，所述制备方法为将含金属镀层的石墨片与碳纤维预制体在不接触的情况下共同置于化学气相沉积炉，通过化学气相沉积于碳纤维预制体的孔隙及表面原位生长SiC纳米线，获得带SiC纳米线的SiC纤维预制体，再通过化学气相沉积获得SiC基体，即得SiC纳米线改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料，本发明通过间接引入金属催化剂，金属催化剂呈气相扩散到SiC纤维预制体的表面以及内部孔隙，催化剂分布更加均匀，催化生长的SiC纳米线密度适中。得到的含SiC纳米线SiCf/SiC复合材料，最大压溃载荷可达1175.0N，与现有技术中的SiC纳米线改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料相比，本发明所得管状SiCf/SiC复合材料压溃性能大幅提升。

公开(公告)号：CN220079184U

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202321576603.7

申请日：2023-06-20

Applicant: 中南大学

Inventor： 陈招科 ,  徐振男 ,  吴宗绪 ,  陈招林 ,  熊翔 ,  张红波

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458

Abstract: 本实用新型公开了一种多通道化学气相沉积炉，包括沉积炉本体，所述沉积炉本体整体呈圆柱形，所述沉积炉本体外侧周向均匀包裹保温层，所述沉积炉本体左右两侧分别设有四个水平进气管和两个水平排气管，所述沉积炉本体内部设有石墨坩埚，所述沉积炉本体内壁周向设有均匀分布的上下两个温区的石墨加热棒，所述石墨坩埚内部底端设有旋转料台，所述旋转料台上设有工装夹具，所述沉积炉本体底部设有圆形石墨板，两个所述水平排气管之间设有排气处理装置，所述沉积炉本体内部顶端设有保温毡。本实用新型采用上述的一种多通道化学气相沉积炉，以解决上述背景技术提出的核燃料包壳管轴向沉积不均匀，且反应室内部空间较小，无法进行工业化生产的问题。