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公开(公告)号:CN115991606A
公开(公告)日:2023-04-21
申请号:CN202310151186.X
申请日:2023-02-22
Applicant: 中南大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种TiB2‑SiC‑B4C三元超硬陶瓷材料及其制备方法,属于超硬陶瓷材料开发制备技术领域。所述由三元超硬陶瓷材料TiB2、SiC、B4C按体积百分比,TiB2:SiC:B4C=1~5:1:1组成。其制备方法为:将一定化学计量比的TiB2、B4C、SiC称重配料,球磨混料后采用放电等离子烧结工艺烧结制得TSB块状样品,样品经抛磨切削加工后得到TSB制品。本发明制备的TSB三元超硬材料,与金刚石、立方氮化硼、纯碳化硼等超硬陶瓷相比,具有制备方便、性能稳定且优越、成本低廉的优势。
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公开(公告)号:CN115991606B
公开(公告)日:2023-05-26
申请号:CN202310151186.X
申请日:2023-02-22
Applicant: 中南大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种TiB2‑SiC‑B4C三元超硬陶瓷材料及其制备方法,属于超硬陶瓷材料开发制备技术领域。所述由三元超硬陶瓷材料TiB2、SiC、B4C按体积百分比,TiB2:SiC:B4C=1~5:1:1组成。其制备方法为:将一定化学计量比的TiB2、B4C、SiC称重配料,球磨混料后采用放电等离子烧结工艺烧结制得TSB块状样品,样品经抛磨切削加工后得到TSB制品。本发明制备的TSB三元超硬材料,与金刚石、立方氮化硼、纯碳化硼等超硬陶瓷相比,具有制备方便、性能稳定且优越、成本低廉的优势。
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