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公开(公告)号：CN113588794B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111139539.1
申请日：2021-09-28
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种多晶体材料缺陷尺寸的超声测量方法，其包括以下步骤：S1、基于背散射响应模型，建立多晶体材料晶粒噪声的瑞利分布，以及晶粒噪声与缺陷回波之间的相干缺陷回波幅值的莱斯分布；S2、根据所述瑞利分布和莱斯分布，构建缺陷回波幅值的限界分布模型，并通过其逆累积分布计算置信上限和下限；S3、基于超声测量模型和C扫描实验测得的相干缺陷回波幅值，以步骤S2中得到的置信上限和下限，获取所述多晶体材料的缺陷尺寸的区间估计。本发明能够在低信噪比的环境下，对微小缺陷的尺寸进行有效的测量。
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公开(公告)号：CN107037131A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710306311.4
申请日：2017-05-04
Applicant: 中南大学
IPC: G01N29/06
Abstract: 本发明公开了一种基于极值分布理论的微小缺陷超声检测方法，所述方法使用了单次散射响应模型对多晶体材料中超声背散射现象进行描述，并通过极值分布理论和单次散射响应模型的有机结合，给出了晶粒噪声的置信上限，最终以置信上限为时变阈值进行了缺陷的成像。实验结果表示，本发明的方法能有效检出直径为0.2mm、埋深为12mm的平底孔缺陷。与传统固定阈值方法对比，本发明的方法在高增益下抑制了把晶粒噪声误检为缺陷的可能性。可见，本发明的方法提供了一种使用常规线性超声检测系统检测出微小缺陷的有效手段。
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公开(公告)号：CN113588794A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202111139539.1
申请日：2021-09-28
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种多晶体材料缺陷尺寸的超声测量方法，其包括以下步骤：S1、基于背散射响应模型，建立多晶体材料晶粒噪声的瑞利分布，以及晶粒噪声与缺陷回波之间的相干缺陷回波幅值的莱斯分布；S2、根据所述瑞利分布和莱斯分布，构建缺陷回波幅值的限界分布模型，并通过其逆累积分布计算置信上限和下限；S3、基于超声测量模型和C扫描实验测得的相干缺陷回波幅值，以步骤S2中得到的置信上限和下限，获取所述多晶体材料的缺陷尺寸的区间估计。本发明能够在低信噪比的环境下，对微小缺陷的尺寸进行有效的测量。
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公开(公告)号：CN107037131B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201710306311.4
申请日：2017-05-04
Applicant: 中南大学
IPC: G01N29/06
Abstract: 本发明公开了一种基于极值分布理论的微小缺陷超声检测方法，所述方法使用了单次散射响应模型对多晶体材料中超声背散射现象进行描述，并通过极值分布理论和单次散射响应模型的有机结合，给出了晶粒噪声的置信上限，最终以置信上限为时变阈值进行了缺陷的成像。实验结果表示，本发明的方法能有效检出直径为0.2mm、埋深为12mm的平底孔缺陷。与传统固定阈值方法对比，本发明的方法在高增益下抑制了把晶粒噪声误检为缺陷的可能性。可见，本发明的方法提供了一种使用常规线性超声检测系统检测出微小缺陷的有效手段。
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