-
公开(公告)号：CN115806277B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202111079571.5
申请日：2021-09-15
Applicant: 中南大学
IPC: C01B21/082
Abstract: 本发明涉及超高温陶瓷粉体技术领域，具体涉及一种碳氮化铪超高温陶瓷粉体的制备方法，碳氮化铪超高温陶瓷的化学式HfCxNy，其中x、y分别是C和N的化学计量比。采用氮化铪和碳质材料为原料，湿法球磨+高温渗碳反应工艺来制备C/N含量分布均匀的HfCxNy粉体。本发明超高温熔点粉体为单一相面心立方结构固溶体，纯度高，碳氮含量可控。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116065052A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310311224.3
申请日：2023-03-28
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种复合材料，特别涉及一种含碳氮化铪的铜基二元复合材料，属于金属陶瓷复合材料技术领域。所述复合材料由碳氮化铪和铜组成，其中碳氮化铪陶瓷占复合材料总质量的5‑10%，余量为铜。其制备方法为：按设计组分配取碳氮化铪粉和铜粉，球磨混料后采用SPS烧结制得HfCN‑Cu样品，对样品进行轧制‑退火处理，得到含碳氮化铪的铜基二元复合材料。本发明所得金属陶瓷复合材料导电性能较佳且硬度及耐磨性优于纯铜。
-
公开(公告)号：CN115806276B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202111077942.6
申请日：2021-09-15
Applicant: 中南大学
IPC: C01B21/082
Abstract: 本发明涉及超高温陶瓷粉体技术领域，具体涉及一种三元氮碳化铪超高温陶瓷粉体及其制备方法，其化学式HfCxNy，其中x、y分别是C和N的化学计量比。本发明采用二氧化铪、炭黑或(石墨)和氮化碳为原料，采用湿法球磨+高温碳热还原+渗氮工艺制备C/N含量分布均匀的HfCxNy粉体。本发明超高温熔点的三元HfCxNy粉体为单一面心立方结构固溶体，游离碳含量低，纯度高，成本低。本发明的制备方法工艺简单、原料成本低、成分可控。
-
公开(公告)号：CN115806276A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202111077942.6
申请日：2021-09-15
Applicant: 中南大学
IPC: C01B21/082
Abstract: 本发明涉及超高温陶瓷粉体技术领域，具体涉及一种三元氮碳化铪超高温陶瓷粉体及其制备方法，其化学式HfCxNy，其中x、y分别是C和N的化学计量比。本发明采用二氧化铪、炭黑或(石墨)和氮化碳为原料，采用湿法球磨+高温碳热还原+渗氮工艺制备C/N含量分布均匀的HfCxNy粉体。本发明超高温熔点的三元HfCxNy粉体为单一面心立方结构固溶体，游离碳含量低，纯度高，成本低。本发明的制备方法工艺简单、原料成本低、成分可控。
-
公开(公告)号：CN116065052B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310311224.3
申请日：2023-03-28
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种复合材料，特别涉及一种含碳氮化铪的铜基二元复合材料，属于金属陶瓷复合材料技术领域。所述复合材料由碳氮化铪和铜组成，其中碳氮化铪陶瓷占复合材料总质量的5‑10%，余量为铜。其制备方法为：按设计组分配取碳氮化铪粉和铜粉，球磨混料后采用SPS烧结制得HfCN‑Cu样品，对样品进行轧制‑退火处理，得到含碳氮化铪的铜基二元复合材料。本发明所得金属陶瓷复合材料导电性能较佳且硬度及耐磨性优于纯铜。
-
公开(公告)号：CN115806277A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202111079571.5
申请日：2021-09-15
Applicant: 中南大学
IPC: C01B21/082
Abstract: 本发明涉及超高温陶瓷粉体技术领域，具体涉及一种碳氮化铪超高温陶瓷粉体的制备方法，碳氮化铪超高温陶瓷的化学式HfCxNy，其中x、y分别是C和N的化学计量比。采用氮化铪和碳质材料为原料，湿法球磨+高温渗碳反应工艺来制备C/N含量分布均匀的HfCxNy粉体。本发明超高温熔点粉体为单一相面心立方结构固溶体，纯度高，碳氮含量可控。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.014 seconds)
