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公开(公告)号：CN109930134B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910319448.2
申请日：2019-04-19
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种引入掩膜板制备二氧化钛纳米棒阵列的方法，包括以下步骤：(1)将掩模板固定于基底材料表面，四周密封；(2)在基底上形成诱导层，然后去除掩模板；(3)将带图案诱导层的基底放入水热反应釜中，在水热反应中诱导生长与基底图案一致的二氧化钛纳米棒阵列；(4)对二氧化钛纳米棒阵列间隙进行选择性填充，采用真空蒸镀工艺，对二氧化钛纳米棒阵列制作上电极，得到用于传感器、能源存储单元或者电子电路的器件。本发明通过引入掩模板，生长导电诱导层，从而控制二氧化钛纳米棒阵列的垂直生长，防止二氧化钛纳米棒发生倾斜和搭接，得到多种图案规则排布的阵列结构，满足能源存储器件，特殊传感器和电子电路器件对二氧化钛结构的质量要求。
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公开(公告)号：CN110137351B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201910429755.6
申请日：2019-05-22
Applicant: 中南大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂二氧化钛阵列忆阻器及其制备方法，属于忆阻器制备技术领域，该忆阻器包括基底FTO、介质层和金属上电极，所述介质层为氮掺杂金红石晶型二氧化钛阵列，其中，N与Ti的原子数量比为0.5％～15％。本发明采用盐酸溶液水热工艺，以钛酸四丁酯为钛源，加入氮源，采用FTO玻璃为基底，通过调节水热温度，保温时间，溶液酸度和钛浓度改变纳米棒直径和长度，通过氮掺杂提供更多空穴缺陷，制备得到的掺氮二氧化钛具有较高的电子和离子迁移效率，提高器件开关速度和器件记忆时间。本发明制备方法简单，成本低，产品形貌质量高，纳米棒尺寸容易控制，氮掺杂量可以调节，有利于规模化生产。
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公开(公告)号：CN108130711A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711436430.8
申请日：2017-12-26
Applicant: 中南大学
IPC: D06M11/46 , D06M10/00 , D06M101/40 , D06M101/34 , D06M101/24
Abstract: 本发明公开了一种基于纤维衬底的TiO2纳米阵列及其制备方法，包括以下步骤：1)纤维预处理：将纤维进行热处理后，置于酒精中超声清洗并干燥，得到处理后的纤维；2)反应溶液的制备：向反应釜中加入蒸馏水，接着加入pH调节剂，并混合均匀，得到混合溶液，然后向混合溶液中加入钛源，并混合均匀后，得到反应溶液；3)将步骤1)中处理后的纤维加入到步骤2)中的反应溶液中进行水热反应，反应完成后，即得生长了TiO2纳米阵列的纤维。本发明以纤维作为基体材料，通过水热法，在纤维上生长的TiO2纳米阵列，所制备的TiO2纳米阵列柔韧性好，可编制性强，可应用于忆阻器、光催化剂、太阳能电池、气敏传感材料、催化剂载体和超级电容器等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108130711B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201711436430.8
申请日：2017-12-26
Applicant: 中南大学
IPC: D06M11/46 , D06M10/00 , D06M101/40 , D06M101/34 , D06M101/24
Abstract: 本发明公开了一种基于纤维衬底的TiO2纳米阵列及其制备方法，包括以下步骤：1)纤维预处理：将纤维进行热处理后，置于酒精中超声清洗并干燥，得到处理后的纤维；2)反应溶液的制备：向反应釜中加入蒸馏水，接着加入pH调节剂，并混合均匀，得到混合溶液，然后向混合溶液中加入钛源，并混合均匀后，得到反应溶液；3)将步骤1)中处理后的纤维加入到步骤2)中的反应溶液中进行水热反应，反应完成后，即得生长了TiO2纳米阵列的纤维。本发明以纤维作为基体材料，通过水热法，在纤维上生长的TiO2纳米阵列，所制备的TiO2纳米阵列柔韧性好，可编制性强，可应用于忆阻器、光催化剂、太阳能电池、气敏传感材料、催化剂载体和超级电容器等领域。
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公开(公告)号：CN108281548B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201810122783.9
申请日：2018-02-07
Applicant: 中南大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明的目的是公开一种双极性双稳态忆阻器，其包括上电极、下电极以及两电极之间的阻态转变层，其阻态转变层由二氧化钛纳米线阵列和涂布于纳米线阵列上的二氧化钛薄膜构成。本发明的阻态转变层是由二氧化钛纳米线和二氧化钛薄膜构成，二氧化钛纳米线具有高密度特性，制备成为忆阻器，可实现忆阻器的高密度存储，提高忆阻器的响应速度，降低忆阻器的功耗；在二氧化钛纳米线涂布一层二氧化钛薄膜，可避免纳米线参差不齐，与金属上电极接触不充分而引起的漏电流，从而提高忆阻器稳定性。
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公开(公告)号：CN110137351A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910429755.6
申请日：2019-05-22
Applicant: 中南大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂二氧化钛阵列忆阻器及其制备方法，属于忆阻器制备技术领域，该忆阻器包括基底FTO、介质层和金属上电极，所述介质层为氮掺杂金红石晶型二氧化钛阵列，其中，N与Ti的原子数量比为0.5％～15％。本发明采用盐酸溶液水热工艺，以钛酸四丁酯为钛源，加入氮源，采用FTO玻璃为基底，通过调节水热温度，保温时间，溶液酸度和钛浓度改变纳米棒直径和长度，通过氮掺杂提供更多空穴缺陷，制备得到的掺氮二氧化钛具有较高的电子和离子迁移效率，提高器件开关速度和器件记忆时间。本发明制备方法简单，成本低，产品形貌质量高，纳米棒尺寸容易控制，氮掺杂量可以调节，有利于规模化生产。
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公开(公告)号：CN109930134A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910319448.2
申请日：2019-04-19
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种引入掩膜板制备二氧化钛纳米棒阵列的方法，包括以下步骤：(1)将掩模板固定于基底材料表面，四周密封；(2)在基底上形成诱导层，然后去除掩模板；(3)将带图案诱导层的基底放入水热反应釜中，在水热反应中诱导生长与基底图案一致的二氧化钛纳米棒阵列；(4)对二氧化钛纳米棒阵列间隙进行选择性填充，采用真空蒸镀工艺，对二氧化钛纳米棒阵列制作上电极，得到用于传感器、能源存储单元或者电子电路的器件。本发明通过引入掩模板，生长导电诱导层，从而控制二氧化钛纳米棒阵列的垂直生长，防止二氧化钛纳米棒发生倾斜和搭接，得到多种图案规则排布的阵列结构，满足能源存储器件，特殊传感器和电子电路器件对二氧化钛结构的质量要求。
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公开(公告)号：CN108281548A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810122783.9
申请日：2018-02-07
Applicant: 中南大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明的目的是公开一种双极性双稳态忆阻器，其包括上电极、下电极以及两电极之间的阻态转变层，其阻态转变层由二氧化钛纳米线阵列和涂布于纳米线阵列上的二氧化钛薄膜构成。本发明的阻态转变层是由二氧化钛纳米线和二氧化钛薄膜构成，二氧化钛纳米线具有高密度特性，制备成为忆阻器，可实现忆阻器的高密度存储，提高忆阻器的响应速度，降低忆阻器的功耗；在二氧化钛纳米线涂布一层二氧化钛薄膜，可避免纳米线参差不齐，与金属上电极接触不充分而引起的漏电流，从而提高忆阻器稳定性。
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