公开(公告)号：CN117902916A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202410316314.6

申请日：2024-03-20

Applicant: 中南大学

Inventor： 孙威 ,  余巧 ,  熊翔 ,  王子威

IPC: C04B38/06 ,  C04B35/56 ,  C04B35/622 ,  C04B35/65

Abstract: 本发明公开了一种多孔TaC陶瓷材料及其制备方法，将钽源A、氟盐、氯盐混合获得熔盐粉料，取一部分熔盐粉料与钽源B和碳源混合获得混合粉料，将混合粉末压制成型获得预制体，再取一部分熔盐粉料将预制体包埋，然后烧结，即得多孔TaC陶瓷材料；本发明的制备方法，采用反应烧结和熔盐法相结合，其中熔盐体系可以将钽元素转化为所需钽离子并与碳源粉末发生反应生成TaC。另外，熔盐同时也能在高温下挥发，在基体内部形成孔洞，从而形成多孔TaC陶瓷，本发明所得多孔TaC陶瓷其孔隙率达90‑95%，密度1.5‑2.5g/cm3，同时其制备工艺简单、周期短、安全性能高，有利于工业化生产。

公开(公告)号：CN118652120B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411155032.9

申请日：2024-08-22

Applicant: 中南大学

Inventor： 孙威 ,  余巧 ,  熊翔

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/622 ,  C04B38/06

Abstract: 本发明公开了一种利用有机泡沫模板法制备多孔TaC陶瓷的方法，将有机泡沫模板浸渍于含钽源A的浆料中，并按压有机泡沫模板，重复浸渍‑按压多次后，干燥，获得预制体，将预制体利用熔盐粉料包埋后再烧结即得多孔TaC陶瓷；其中利用有机泡沫浸渍法与熔盐法进行制备的多孔TaC陶瓷，其孔隙和孔径分布可控，制备出的孔隙率高，强度较高。该方法对于制备多孔TaC陶瓷提供了新思路，并且同时其制备工艺简单、周期短、安全性能高，有利于工业化生产。

公开(公告)号：CN118652120A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202411155032.9

申请日：2024-08-22

Applicant: 中南大学

Inventor： 孙威 ,  余巧 ,  熊翔

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/622 ,  C04B38/06

Abstract: 本发明公开了一种利用有机泡沫模板法制备多孔TaC陶瓷的方法，将有机泡沫模板浸渍于含钽源A的浆料中，并按压有机泡沫模板，重复浸渍‑按压多次后，干燥，获得预制体，将预制体利用熔盐粉料包埋后再烧结即得多孔TaC陶瓷；其中利用有机泡沫浸渍法与熔盐法进行制备的多孔TaC陶瓷，其孔隙和孔径分布可控，制备出的孔隙率高，强度较高。该方法对于制备多孔TaC陶瓷提供了新思路，并且同时其制备工艺简单、周期短、安全性能高，有利于工业化生产。

公开(公告)号：CN117902916B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410316314.6

申请日：2024-03-20

Applicant: 中南大学

Inventor： 孙威 ,  余巧 ,  熊翔 ,  王子威

IPC: C04B38/06 ,  C04B35/56 ,  C04B35/622 ,  C04B35/65

Abstract: 本发明公开了一种多孔TaC陶瓷材料及其制备方法，将钽源A、氟盐、氯盐混合获得熔盐粉料，取一部分熔盐粉料与钽源B和碳源混合获得混合粉料，将混合粉末压制成型获得预制体，再取一部分熔盐粉料将预制体包埋，然后烧结，即得多孔TaC陶瓷材料；本发明的制备方法，采用反应烧结和熔盐法相结合，其中熔盐体系可以将钽元素转化为所需钽离子并与碳源粉末发生反应生成TaC。另外，熔盐同时也能在高温下挥发，在基体内部形成孔洞，从而形成多孔TaC陶瓷，本发明所得多孔TaC陶瓷其孔隙率达90‑95%，密度1.5‑2.5g/cm3，同时其制备工艺简单、周期短、安全性能高，有利于工业化生产。