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公开(公告)号:CN116481436A
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN202310291956.0
申请日:2023-03-23
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于微位移传感器技术领域,具体涉及一种基于90度移相电路的高精度光栅微位移传感器,所述电路系统包括偏置电路、90°移相电路、万倍细分插值电路,所述光路系统电性连接有偏置电路,所述偏置电路电性连接有90°移相电路,所述90°移相电路电性连接有万倍细分插值电路。本发明提供的锁定相位的移相电路,可以在频率发生波动时,将移相锁定在90度,即使是在1HZ的低频下,也可以稳定90度移相。本发明很好的解决了实际应用过程中由于高精度光栅微位移传感器装配,加工误差等影响使输入信号并非理想正余弦信号,使由于输入正余弦信号的幅值误差、偏置误差和相位误差限制的细分插值倍数达到了一万倍。
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公开(公告)号:CN116481418A
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN202310520345.9
申请日:2023-05-10
Applicant: 中北大学
IPC: G01B7/30
Abstract: 本发明属于角度检测装置技术领域,具体涉及一种基于隧道磁阻效应高灵敏度角度检测装置,包括上层基板部分和下层基板部分,所述上层基板部分设置在下层基板部分的上方,所述上层基板部分与下层基板部分相互平行,所述上层基板部分与下层基板部分之间无接触。所述上层基板部分包括固定基板、方形镂空、磁阻电源导线、隧道磁阻元件、磁阻信号传输线、玻璃衬底,所述固定基板设置在下层基板部分的上方,所述固定基板的中心处开设有方形镂空。本发明使用隧道磁阻效应进行检测可以轻松实现角度传感器的全圆检测,其次信号处理模块中的移相电路结合细分电路提高了测量的分辨率,为其他磁性角度传感器实现全圆高精度角度测量提供了思路。
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公开(公告)号:CN116242237A
公开(公告)日:2023-06-09
申请号:CN202310249456.0
申请日:2023-03-15
Applicant: 中北大学
IPC: G01B7/02
Abstract: 本发明属于微位移检测装置技术领域,具体涉及一种基于磁栅结构的高精度磁阻微位移检测装置,包括永磁体基板、第一永磁体、第二永磁体、磁栅层结构、磁阻层,所述永磁体基板的中心处设有方形凹槽,所述永磁体基板的方形凹槽内镶嵌有第一永磁体和第二永磁体,所述磁栅层结构设置在第一永磁体和第二永磁体上,所述磁阻层设置在磁栅层结构上。本发明将磁栅结构与隧道磁阻传感元件相结合,合理利用各自优点,在保证抗干扰能力的同时又能实现高精度微位移的测量。并且本发明的磁栅是在硅片上电化学沉积一层镍,然后通过硅片下方一对磁性相反的永磁体对镍层进行磁化,从而在磁栅上表面空间产生一个高变化率磁场。
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