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公开(公告)号:CN103911642B
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201410104432.7
申请日:2014-03-20
Applicant: 中北大学
IPC: C25D9/04
Abstract: 本发明涉及一种改性氧化钽薄膜的制备方法,为各种微纳结构、不规则结构表面薄膜生长提供一种简单、可靠的方法,用氧化钽、表面活性剂、吡咯、氧化石墨烯、乙二醇和水配置电解液,采用循环伏安法沉积氧化钽功能薄膜,以饱和甘汞电极作为参比电极,铂丝作为对电极,基底作为工作电极;得到的氧化钽功能薄膜在气氛中进行热处理后自然冷却。该方法获得的薄膜均匀致密,膜厚可控,且与基底结合度高,具有较高的比容量,可用作超级电容器电极材料,适用于各种复杂形状、微纳结构的基底,且制备过程在常规条件下进行,操作简单,对设备无污染。
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公开(公告)号:CN103911642A
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN201410104432.7
申请日:2014-03-20
Applicant: 中北大学
IPC: C25D9/04
Abstract: 本发明涉及一种改性氧化钽薄膜的制备方法,为各种微纳结构、不规则结构表面薄膜生长提供一种简单、可靠的方法,用氧化钽、表面活性剂、吡咯、氧化石墨烯、乙二醇和水配置电解液,采用循环伏安法沉积氧化钽功能薄膜,以饱和甘汞电极作为参比电极,铂丝作为对电极,基底作为工作电极;得到的氧化钽功能薄膜在气氛中进行热处理后自然冷却。该方法获得的薄膜均匀致密,膜厚可控,且与基底结合度高,具有较高的比容量,可用作超级电容器电极材料,适用于各种复杂形状、微纳结构的基底,且制备过程在常规条件下进行,操作简单,对设备无污染。
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