公开(公告)号：CN117877996A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410002259.3

申请日：2024-01-02

Applicant: 中北大学

Inventor： 王俊强 ,  李云飞 ,  白靖宇 ,  李孟委

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及半导体封装技术领域，更具体而言，涉及一种纳米叠层Cu‑Sn低温固态扩散键合工艺方法。本发明通过制作Cu/Sn/Cu/Sn/Cu/Sn/Cu叠层结构的微凸点，利用纳米金属熔点降低效应和尺寸效应，降低键合温度和缩短Sn‑Cu界面扩散距离促进原子扩散和反应速率，快速并精确控制IMC的形成。沉积纳米金属层可以获得无污染、高活性的表面，提高金属键合层之间原子扩散速率，实现了快速、低温和低损伤的键合，微凸点表面进行预处理，防止Cu和Sn表面因吸附而产生的污染，提高键合质量。本发明工艺方法能够在低温环境下快速完成键合，优势为显著缩短了键合时间，有利于提高生产效率，进而降低生产成本。

公开(公告)号：CN115043373A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210538720.8

申请日：2022-05-18

Applicant: 中北大学

Inventor： 王俊强 ,  白靖宇 ,  李孟委

IPC: B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明涉及微电子器件高温封装技术领域，更具体而言，涉及一种适用于高温封装的金属直接键合工艺。所述工艺包括在待键合器件键合界面制作密封环和微凸点键合结构、耐高温金属纳米颗粒结构制备、密封环和微凸点键合结构制备、表面处理和耐高温金属直接键合。本发明利用金属纳米颗粒结构对密封环和微凸点键合结构进行修饰，利用纳米材料的表面效应和小尺寸效应，提高耐高温金属原子之间的接触面积，形成快速扩散通道。表面活化键合技术可以去除污染获得清洁的表面，克服了直接键合表面易污染和不平等问题，降低耐高温金属之间扩散势垒，从而实现了耐高温金属高速、低温、低损伤的键合。同时在待键合器件键合界面进行表面处理，防止二次污染。