公开(公告)号：CN115050636B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202210498527.6

申请日：2022-05-09

Applicant: 中北大学

Inventor： 王俊强 ,  王崟杰 ,  李孟委

IPC: H01L21/04 ,  C01B32/194

Abstract: 本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种低成本大面积石墨烯图形化方法，包括下列步骤：S1、在转移了石墨烯薄膜的衬底表面沉积一层铝金属作掩膜；S2、旋涂一层光刻胶并光刻，以便图形化铝金属掩膜；S3、刻蚀石墨烯；S4、清洗剩余光刻胶及腐蚀剩余铝金属掩膜。本发明使用金属掩膜隔开石墨烯与光刻胶，避免了石墨烯与光刻胶直接接触导致光刻胶残留。得到的石墨烯表面更清洁一致。大面积石墨烯中，清洁一致的表面保证了其电学、力学等特性的一致性，故在大面积石墨烯图形化中适用。本发明使用铝金属材料作为掩膜材料，其材料成本低，在大面积石墨烯图形化中额外增加的材料成本有限。

公开(公告)号：CN115050636A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210498527.6

申请日：2022-05-09

Applicant: 中北大学

Inventor： 王俊强 ,  王崟杰 ,  李孟委

IPC: H01L21/04 ,  C01B32/194

Abstract: 本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种低成本大面积石墨烯图形化方法，包括下列步骤：S1、在转移了石墨烯薄膜的衬底表面沉积一层铝金属作掩膜；S2、旋涂一层光刻胶并光刻，以便图形化铝金属掩膜；S3、刻蚀石墨烯；S4、清洗剩余光刻胶及腐蚀剩余铝金属掩膜。本发明使用金属掩膜隔开石墨烯与光刻胶，避免了石墨烯与光刻胶直接接触导致光刻胶残留。得到的石墨烯表面更清洁一致。大面积石墨烯中，清洁一致的表面保证了其电学、力学等特性的一致性，故在大面积石墨烯图形化中适用。本发明使用铝金属材料作为掩膜材料，其材料成本低，在大面积石墨烯图形化中额外增加的材料成本有限。