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公开(公告)号：CN112857232B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202110371245.5
申请日：2021-04-07
Applicant: 中北大学
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明公开长量程光学自参考位移传感器，包括由上至下依次的金膜层、上玻璃层、间隙层、下玻璃层和硅基底，金膜层用于通过电流，所述金膜层的厚度为100nm，所述金膜层上蚀刻有双纳米孔，双纳米孔包括两个相交的圆形纳米孔，所述双纳米孔下方的间隙层中对应设置有两个并排排列的效应块，该效应块为金纳米块。在电磁波垂直照射下，本发明的结构在激发anapole模式的对应波长处会表现出反射率急剧减小，利用这一模式，通过测量该结构反射光谱的变化来间接反映待测物体的位移，从而实现位移的探测。
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公开(公告)号：CN112857232A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110371245.5
申请日：2021-04-07
Applicant: 中北大学
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明公开长量程光学自参考位移传感器，包括由上至下依次的金膜层、上玻璃层、间隙层、下玻璃层和硅基底，金膜层用于通过电流，所述金膜层的厚度为100nm，所述金膜层上蚀刻有双纳米孔，双纳米孔包括两个相交的圆形纳米孔，所述双纳米孔下方的间隙层中对应设置有两个并排排列的效应块，该效应块为金纳米块。在电磁波垂直照射下，本发明的结构在激发anapole模式的对应波长处会表现出反射率急剧减小，利用这一模式，通过测量该结构反射光谱的变化来间接反映待测物体的位移，从而实现位移的探测。
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