公开(公告)号：CN109786229B

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN201811482391.X

申请日：2018-12-05

Applicant: 中北大学

Inventor： 耿文平 ,  丑修建 ,  张辽原 ,  侯晓娟 ,  穆继亮 ,  何剑 ,  李雅青

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供了一种能在常温下实现不同晶圆材料实现良好键合的晶圆键合方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，提供第一晶圆以及第二晶圆，第一晶圆具有满足预定条件的第一键合面，第二晶圆具有满足预定条件的第二键合面；步骤2，对第一晶圆以及第二晶圆在常温下进行键合前预处理；步骤3，将经步骤2处理后的第一晶圆的第一键合面与第二晶圆的第二键合面进行键合，其中，步骤2中，键合前预处理包括等离子活化和预定清洗；步骤3中，是在常温条件下，并在真空或保护气氛条件下进行预键合得到预键合体，再将该预键合体，在压力范围为1000N‑12000N以及真空度为9.8×10‑3‑1.1×10‑8Pa的条件下，保持0.5‑20h，完成最终键合。

公开(公告)号：CN109786229A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811482391.X

申请日：2018-12-05

Applicant: 中北大学

Inventor： 耿文平 ,  丑修建 ,  张辽原 ,  侯晓娟 ,  穆继亮 ,  何剑 ,  李雅青

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供了一种能在常温下实现不同晶圆材料实现良好键合的晶圆键合方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，提供第一晶圆以及第二晶圆，第一晶圆具有满足预定条件的第一键合面，第二晶圆具有满足预定条件的第二键合面；步骤2，对第一晶圆以及第二晶圆在常温下进行键合前预处理；步骤3，将经步骤2处理后的第一晶圆的第一键合面与第二晶圆的第二键合面进行键合，其中，步骤2中，键合前预处理包括等离子活化和预定清洗；步骤3中，是在常温条件下，并在真空或保护气氛条件下进行预键合得到预键合体，再将该预键合体，在压力范围为1000N-12000N以及真空度为9.8×10-3-1.1×10-8Pa的条件下，保持0.5-20h，完成最终键合。