公开(公告)号：CN102259827A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110173243.1

申请日：2011-06-25

Applicant: 中北大学

Inventor： 刘俊 ,  石云波 ,  唐军 ,  杨玉华 ,  李平 ,  张贺

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明涉及传感器的封装技术，具体是一种MEMS高量程加速度传感器的封装方法。本发明解决了现有传感器封装技术抗高过载能力差、固有频率低、以及封装可靠性差的问题。MEMS高量程加速度传感器的封装方法，该方法是采用如下步骤实现的：a）阳极键合高硼硅玻璃基板；b）选取陶瓷基板；c）印制芯片焊盘及连接导线；d）将缓冲基板固定到不锈钢封装管壳中；e）焊接电缆引线；f）灌封不锈钢封装管壳；g）将不锈钢盖板缝接到不锈钢封装管壳上。本发明有效解决了现有传感器封装技术抗高过载能力差、固有频率低、以及封装可靠性差的问题，适用于MEMS高量程加速度传感器的封装。

公开(公告)号：CN102141576B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN201010609247.5

申请日：2010-12-28

Applicant: 中北大学

Inventor： 石云波 ,  刘俊 ,  赵锐 ,  唐军 ,  张贺

IPC: G01P15/18 ,  B81B3/00

Abstract: 本发明涉及MEMS传感器，具体是一种基于RTS的MEMS面内高g加速度传感器。解决了现有MEMS高g加速度传感器结构不易实现水平向加速度测量、检测结果易受温度影响等问题，包括硅基框架、质量块，质量块两侧分别通过独立支撑梁、两组合梁与硅基框架固定，独立支撑梁沿质量块中心线设置，两组合梁以质量块中心线为对称轴对称设置；组合梁含检测梁、两连接梁，检测梁上设有应变压敏元件，检测梁的厚度及宽度小于连接梁；独立支撑梁、质量块、组合梁中的连接梁为等厚设置。结构合理、简单，能实现水平向加速度测量，加工工艺简单，受环境温度影响较小，在高温环境下不易失效，易于实现三轴集成，适用于测量高g值的冲击加速度。

公开(公告)号：CN102141576A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010609247.5

申请日：2010-12-28

Applicant: 中北大学

Inventor： 刘俊 ,  石云波 ,  唐军 ,  赵锐 ,  张贺

IPC: G01P15/18 ,  B81B3/00

Abstract: 本发明涉及MEMS传感器，具体是一种基于RTS的MEMS面内高g加速度传感器。解决了现有MEMS高g加速度传感器结构不易实现水平向加速度测量、检测结果易受温度影响等问题，包括硅基框架、质量块，质量块两侧分别通过独立支撑梁、两组合梁与硅基框架固定，独立支撑梁沿质量块中心线设置，两组合梁以质量块中心线为对称轴对称设置；组合梁含检测梁、两连接梁，检测梁上设有应变压敏元件，检测梁的厚度及宽度小于连接梁；独立支撑梁、质量块、组合梁中的连接梁为等厚设置。结构合理、简单，能实现水平向加速度测量，加工工艺简单，受环境温度影响较小，在高温环境下不易失效，易于实现三轴集成，适用于测量高g值的冲击加速度。

公开(公告)号：CN102259827B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201110173243.1

申请日：2011-06-25

Applicant: 中北大学

Inventor： 石云波 ,  刘俊 ,  唐军 ,  杨玉华 ,  李平 ,  张贺

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明涉及传感器的封装技术，具体是一种MEMS高量程加速度传感器的封装方法。本发明解决了现有传感器封装技术抗高过载能力差、固有频率低、以及封装可靠性差的问题。MEMS高量程加速度传感器的封装方法，该方法是采用如下步骤实现的：a）阳极键合高硼硅玻璃基板；b）选取陶瓷基板；c）印制芯片焊盘及连接导线；d）将缓冲基板固定到不锈钢封装管壳中；e）焊接电缆引线；f）灌封不锈钢封装管壳；g）将不锈钢盖板缝接到不锈钢封装管壳上。本发明有效解决了现有传感器封装技术抗高过载能力差、固有频率低、以及封装可靠性差的问题，适用于MEMS高量程加速度传感器的封装。