多桥路隧道磁阻双轴加速度计

    公开(公告)号:CN110780088A

    公开(公告)日:2020-02-11

    申请号:CN201911088785.1

    申请日:2019-11-08

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明涉及一种多桥路隧道磁阻双轴加速度计,包括支撑框架一、支撑框架二、X轴质量块、Y轴质量块、X轴隧道磁阻元件、Y轴隧道磁阻元件、X轴回折线圈、Y轴回折线圈,X轴质量块上固定设置相互正交的X轴回折线圈和Y轴回折线圈;X轴回折线圈的两端以及Y轴回折线圈的两端分别通过导线与支撑框架一上的相应电极连接;支撑框架二上固定设置X轴隧道磁阻元件和Y轴隧道磁阻元件;X轴隧道磁阻元件位于X轴回折线圈的正上方;Y轴隧道磁阻元件位于Y轴回折线圈的正上方,隧道磁阻元件内部设置多桥路结构。本发明提出的基于多桥路隧道磁阻的双轴MEMS加速度计极大提高了加速度计的极限检测能力和检测灵敏度。

    多桥路隧道磁阻双轴加速度计

    公开(公告)号:CN110780088B

    公开(公告)日:2021-08-03

    申请号:CN201911088785.1

    申请日:2019-11-08

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明涉及一种多桥路隧道磁阻双轴加速度计,包括支撑框架一、支撑框架二、X轴质量块、Y轴质量块、X轴隧道磁阻元件、Y轴隧道磁阻元件、X轴回折线圈、Y轴回折线圈,X轴质量块上固定设置相互正交的X轴回折线圈和Y轴回折线圈;X轴回折线圈的两端以及Y轴回折线圈的两端分别通过导线与支撑框架一上的相应电极连接;支撑框架二上固定设置X轴隧道磁阻元件和Y轴隧道磁阻元件;X轴隧道磁阻元件位于X轴回折线圈的正上方;Y轴隧道磁阻元件位于Y轴回折线圈的正上方,隧道磁阻元件内部设置多桥路结构。本发明提出的基于多桥路隧道磁阻的双轴MEMS加速度计极大提高了加速度计的极限检测能力和检测灵敏度。

    一种基于磁膜的隧道磁阻MEMS加速度计结构及控制方法

    公开(公告)号:CN111077343A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201911391370.1

    申请日:2019-12-30

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明属于加速度计技术领域,具体涉及一种基于磁膜的隧道磁阻MEMS加速度计结构及控制方法,底层结构包括整体支撑框架、加速度计检测梁、质量块,加速度计检测梁固定在整体支撑框架的内侧面,质量块通过加速度计检测梁固定在整体支撑框架的中央,中层结构包括磁膜阵列,磁膜阵列键合在质量块上,磁阻支撑框架固定在整体支撑框架的上方,磁阻基板通过支撑梁固定在磁阻支撑框架上,磁阻基板设置在质量块的正上方,磁阻基板上固定有隧道磁阻元件。本发明提出的加速度计利用磁膜阵列产生高变化率磁场,不需要外加激励,具有结构简单、灵敏度高、可靠性好,寿命长、制作成本低,功耗低等特点。本发明用于加速度的检测。

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