公开(公告)号：CN106299632A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510241020.2

申请日：2015-05-13

Applicant: 中兴通讯股份有限公司

Inventor： 李融林 ,  李伏云 ,  崔悦慧 ,  王博明 ,  王鹏 ,  傅焕展 ,  杨程

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q1/50 ,  H01Q1/48 ,  H01Q15/14

CPC classification number: H01Q15/14

Abstract: 本发明公开了一种人工磁导体结构单元、人工磁导体结构以及相应的极化平面天线，其中人工磁导体结构单元包括金属接地板、金属过孔、介质基板和周期贴片，所述周期贴片在所述介质基板上刻蚀形成，并且所述周期贴片由矩形框和弯折线组成，所述弯折线的两端在所述矩形框内与所述矩形框电连接，并且所述弯折线通过所述金属过孔与所述金属接地板电连接，所述金属过孔在所述弯折线的所述两端之间与所述弯折线电连接。

公开(公告)号：CN107959694B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN201610899233.9

申请日：2016-10-14

Applicant: 中兴通讯股份有限公司

Inventor： 李伏云 ,  程三海

IPC: H04L29/08

Abstract: 本发明公开了一种同步缓存的方法，包括步骤：当有数据输入时，控制所述数据写入第一同步缓存区；在每写满一个所述第一同步缓存区的缓存单元时，控制数据从写满数据的所述第一同步缓存区的缓存单元中读出，并写入异步缓存区；在所述异步缓存区的缓存满足预设条件后，控制数据从所述异步缓存区中读出，并写入第二同步缓存区中，在每写满一个所述第二同步缓存区的缓存单元时，控制数据从写满数据的所述第二同步缓存区的缓存单元中读出。本发明还公开了一种同步缓存的装置。本发明在保证数据同步缓存的同时，通过利用同步缓存和异步缓存模块的转换，降低了数据同步缓存的成本。

公开(公告)号：CN107959694A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201610899233.9

申请日：2016-10-14

Applicant: 中兴通讯股份有限公司

Inventor： 李伏云 ,  程三海

IPC: H04L29/08

CPC classification number: H04L67/2842 ,  H04L67/1095

Abstract: 本发明公开了一种同步缓存的方法，包括不住：当有数据输入时，控制所述数据写入第一同步缓存区；在每写满一个所述第一同步缓存区的缓存单元时，控制数据从写满数据的所述第一同步缓存区的缓存单元中读出，并写入异步缓存区；在所述异步缓存区的缓存满足预设条件后，控制数据从所述异步缓存区中读出，并写入第二同步缓存区中，在每写满一个所述第二同步缓存区的缓存单元时，控制数据从写满数据的所述第二同步缓存区的缓存单元中读出。本发明还公开了一种同步缓存的装置。本发明在保证数据同步缓存的同时，通过利用同步缓存和异步缓存模块的转换，降低了数据同步缓存的成本。