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公开(公告)号:CN1155468C
公开(公告)日:2004-06-30
申请号:CN99815987.5
申请日:1999-11-30
CPC classification number: B32B17/06 , C03C17/3417
Abstract: 本发明提供一种洗净后亲水性在极短的时间内达到恢复,并且,恢复的亲水性具有高的持久性的亲水性构件。在作为基体材料的玻璃板1的表面形成氧化锡(SnO2)膜2,在该氧化锡(SnO2)膜2的表面形成了作为上敷层的氧化硅(SiO2)膜3。作为玻璃板1,是以SiO2作为主要成分的钠玻璃,氧化锡膜(SnO2)2,例如,用CVD法制成,其厚度为10~800nm,表面的表面平均粗糙度(Ra)为0.5~25nm。另外,氧化硅(SiO2)膜3用溅射法制成,其厚度为0.1~100nm。然而,因氧化硅(SiO2)膜3在上述氧化锡(SnO2)膜2上形成,所以,氧化锡膜(SnO2)2的凹凸被原样转移,氧化硅(SiO2)膜3的表面的表面平均粗糙度(Ra)也是0.5~25nm。
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公开(公告)号:CN1334769A
公开(公告)日:2002-02-06
申请号:CN99815987.5
申请日:1999-11-30
CPC classification number: B32B17/06 , C03C17/3417
Abstract: 本发明提供一种洗净后亲水性在极短的时间内达到恢复,并且,恢复的亲水性具有高的持久性的亲水性构件。在作为基体材料的玻璃板1的表面形成氧化锡(SnO2)膜2,在该氧化锡(SnO2)膜2的表面形成了作为上敷层的氧化硅(SiO2)膜3。作为玻璃板1,是以SiO2作为主要成分的钠玻璃,氧化锡膜(SnO2)2,例如,用CVD法制成,其厚度为10~800nm,表面的表面平均粗糙度(Ra)为0.5~25nm。另外,氧化硅(SiO2)膜3用溅射法制成,其厚度为0.1~100nm。然而,因氧化硅(SiO2)膜3在上述氧化锡(SnO2)膜2上形成,所以,氧化锡膜(SnO2)2的凹凸被原样转移,氧化硅(SiO2)膜3的表面的表面平均粗糙度(Ra)也是0.5~25nm。
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公开(公告)号:CN1764779A
公开(公告)日:2006-04-26
申请号:CN200480008349.4
申请日:2004-03-29
Applicant: 东陶机器株式会社
CPC classification number: Y02E10/223
Abstract: 本发明的给水装置是在进行朝屋内设备的给水的流路(14)的途中配设装置主体(6),在装置主体上设置发电单元(23)。而且,发电单元具有:朝与流路的水路方向相互垂直的方向延伸的旋转轴(34)、安装于旋转轴并在水流的作用下旋转的叶片轮(27)、与叶片轮连动地旋转的磁铁(43)、及与磁石对置配设的线圈(29),叶片轮朝向外方放射状地形成叶片(38),并在叶片的内侧形成可通水的间隙(40)。如这样,在本发明中,由于在叶片(38)及旋转轴(34)之间形成有间隙(40),所以流入叶片的基端部分的水不会妨碍叶片轮的旋转,可以增大发电单元的发电量。而且,在本发明中,不必为了降低叶片轮的回转阻力而扩张叶片轮外侧的流路,可以实现给水装置的小型化。
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