公开(公告)号：CN104181711A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410202980.3

申请日：2008-01-16

Applicant: 东阳特克尼卡株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 井上胜 ,  佐佐木邦彦 ,  栗原直 ,  久米康仁

IPC: G02F1/13

CPC classification number: G02F1/1309 ,  G02F2001/136254 ,  G09G3/006 ,  G09G3/3648

Abstract: 本发明提供一种TFT液晶面板的物理性质测量方法，是TFT液晶面板(4，400)的物理性质测量方法，其具有：阻抗设定步骤(步骤S1、步骤S11、步骤S12)，将所述TFT液晶面板(4，400)的TFT(4A，400A)的源极(42A，420A)-漏极(43A，430A)间的阻抗值设定为规定值以下的值；电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)，对所述TFT液晶面板(4，400)的液晶层(4B、400B)施加周期性地变化的电压；物理性质测量步骤(步骤S3、步骤S4、步骤S14、步骤S15)，测量在利用所述电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)施加了所述周期性地变化的电压的所述液晶层(4B、400B)中流过的过渡电流，测量所述液晶层(4B、400B)的物理性质。

公开(公告)号：CN101589338A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200880003082.8

申请日：2008-01-16

Applicant: 东阳特克尼卡株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 井上胜 ,  佐佐木邦彦 ,  栗原直 ,  久米康仁

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/13

CPC classification number: G02F1/1309 ,  G02F2001/136254 ,  G09G3/006 ,  G09G3/3648

Abstract: 本发明提供一种TFT液晶面板的物理性质测量方法，是TFT液晶面板(4，400)的物理性质测量方法，其具有：阻抗设定步骤(步骤S1、步骤S11、步骤S12)，将所述TFT液晶面板(4，400)的TFT(4A，400A)的源极(42A，420A)-漏极(43A，430A)间的阻抗值设定为规定值以下的值；电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)，对所述TFT液晶面板(4，400)的液晶层(4B、400B)施加周期性地变化的电压；物理性质测量步骤(步骤S3、步骤S4、步骤S14、步骤S15)，测量在利用所述电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)施加了所述周期性地变化的电压的所述液晶层(4B、400B)中流过的过渡电流，测量所述液晶层(4B、400B)的物理性质。

公开(公告)号：CN104181711B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410202980.3

申请日：2008-01-16

Applicant: 东阳特克尼卡株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 井上胜 ,  佐佐木邦彦 ,  栗原直 ,  久米康仁

IPC: G02F1/13

CPC classification number: G02F1/1309 ,  G02F2001/136254 ,  G09G3/006 ,  G09G3/3648

Abstract: 本发明提供一种TFT液晶面板的物理性质测量方法，是TFT液晶面板(4，400)的物理性质测量方法，其具有：阻抗设定步骤(步骤S1、步骤S11、步骤S12)，将所述TFT液晶面板(4，400)的TFT(4A，400A)的源极(42A，420A)‑漏极(43A，430A)间的阻抗值设定为规定值以下的值；电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)，对所述TFT液晶面板(4，400)的液晶层(4B、400B)施加周期性地变化的电压；物理性质测量步骤(步骤S3、步骤S4、步骤S14、步骤S15)，测量在利用所述电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)施加了所述周期性地变化的电压的所述液晶层(4B、400B)中流过的过渡电流，测量所述液晶层(4B、400B)的物理性质。

公开(公告)号：CN101589338B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN200880003082.8

申请日：2008-01-16

Applicant: 东阳特克尼卡株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 井上胜 ,  佐佐木邦彦 ,  栗原直 ,  久米康仁

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/13

CPC classification number: G02F1/1309 ,  G02F2001/136254 ,  G09G3/006 ,  G09G3/3648

Abstract: 本发明提供一种TFT液晶面板的物理性质测量方法，是TFT液晶面板(4，400)的物理性质测量方法，其具有：阻抗设定步骤(步骤S1、步骤S11、步骤S12)，将所述TFT液晶面板(4，400)的TFT(4A，400A)的源极(42A，420A)-漏极(43A，430A)间的阻抗值设定为规定值以下的值；电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)，对所述TFT液晶面板(4，400)的液晶层(4B、400B)施加周期性地变化的电压；物理性质测量步骤(步骤S3、步骤S4、步骤S14、步骤S15)，测量在利用所述电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)施加了所述周期性地变化的电压的所述液晶层(4B、400B)中流过的过渡电流，测量所述液晶层(4B、400B)的物理性质。

公开(公告)号：CN111727370A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201880089445.8

申请日：2018-02-28

Applicant: 东阳特克尼卡株式会社

Inventor： 井上胜 ,  大薮范昭

IPC: G01N27/00

Abstract: 用于液体的杂质离子测量的测量装置(1)具备：第1电极(4)；第1绝缘膜(6)，被形成在第1电极(4)上；第2绝缘膜(7)，与第1绝缘膜(6)隔开配置，以形成液体(9)被封入的空间；第2电极(5)，被形成有第2绝缘膜(7)，并被配置为面向第1电极(4)；以及密封件(8)，具有用于将液体(9)注入到空间中的注入口，被构成为密封空间。