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公开(公告)号:CN115838186A
公开(公告)日:2023-03-24
申请号:CN202211319023.X
申请日:2022-10-26
Applicant: 东部超导科技(苏州)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种锶掺杂钡源及其制备方法与在制备高温超导带材中的应用,所述制备方法包括以下步骤:(1)将钡盐、锶盐与2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮络合反应生成双(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮)钡锶;(2)再加入1,10‑菲罗啉进行配位反应,反应完全后蒸发结晶得到所述锶掺杂的钡源。本发明制备得到的锶掺杂钡源与三(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮)钇源以及双(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮)铜源挥发温度相近,三种前驱体源通过MOCVD工艺可同时与氧离子结合,在带材上形成具有超导功能的陶瓷层膜。该陶瓷层膜形成的功能层在77K、0T下的临界电流高达765.10A,且具有良好的柔韧性,8mm棒弯曲临界电流损失仅为5.21%。
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公开(公告)号:CN115838186B
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202211319023.X
申请日:2022-10-26
Applicant: 东部超导科技(苏州)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种锶掺杂钡源及其制备方法与在制备高温超导带材中的应用,所述制备方法包括以下步骤:(1)将钡盐、锶盐与2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮络合反应生成双(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮)钡锶;(2)再加入1,10‑菲罗啉进行配位反应,反应完全后蒸发结晶得到所述锶掺杂的钡源。本发明制备得到的锶掺杂钡源与三(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮)钇源以及双(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮)铜源挥发温度相近,三种前驱体源通过MOCVD工艺可同时与氧离子结合,在带材上形成具有超导功能的陶瓷层膜。该陶瓷层膜形成的功能层在77K、0T下的临界电流高达765.10A,且具有良好的柔韧性,8mm棒弯曲临界电流损失仅为5.21%。
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公开(公告)号:CN114380676A
公开(公告)日:2022-04-22
申请号:CN202111626684.2
申请日:2021-12-28
Applicant: 东部超导科技(苏州)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多元稀土共晶高温超导原材料的制备方法,该制备方法通过多元稀土共晶化学源替代单元稀土化学源来改变其超导性能,通过与之配套的钡源铜源,并利用“沉积速度快,沉积面积大,薄膜质量高”的MOCVD生长方法,生产出千米高温超导长带,保证其在实用温度和磁场下带材超导性能优良。
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公开(公告)号:CN216593261U
公开(公告)日:2022-05-24
申请号:CN202123305984.9
申请日:2021-12-27
Applicant: 东部超导科技(苏州)有限公司
IPC: G01B11/30
Abstract: 本实用新型公开一种在线检测超导用金属基带表面粗糙度装置,包括底座;支架安装在底座的一侧;测试系统可沿待测基带的宽度方向移动地设置在支架上;导轮组件包括两个相对并间隔设置的、且一端固定在底座的另一侧的中心轴和分别绕中心轴的轴线转动地设置在中心轴上的导轮,待测基带贴固在导轮的面向测试系统的一侧且经导轮定位后的待测基带与测试系统相平行。通过设置可沿待测基带的宽度方向移动地测试系统,从而实现对带材宽度方向上不同位置的粗糙度进行在线检测。
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