一种锶掺杂钡源及其制备方法与在制备高温超导带材中的应用

    公开(公告)号:CN115838186A

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202211319023.X

    申请日:2022-10-26

    Abstract: 本发明公开了一种锶掺杂钡源及其制备方法与在制备高温超导带材中的应用,所述制备方法包括以下步骤:(1)将钡盐、锶盐与2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮络合反应生成双(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮)钡锶;(2)再加入1,10‑菲罗啉进行配位反应,反应完全后蒸发结晶得到所述锶掺杂的钡源。本发明制备得到的锶掺杂钡源与三(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮)钇源以及双(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮)铜源挥发温度相近,三种前驱体源通过MOCVD工艺可同时与氧离子结合,在带材上形成具有超导功能的陶瓷层膜。该陶瓷层膜形成的功能层在77K、0T下的临界电流高达765.10A,且具有良好的柔韧性,8mm棒弯曲临界电流损失仅为5.21%。

    一种锶掺杂钡源及其制备方法与在制备高温超导带材中的应用

    公开(公告)号:CN115838186B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202211319023.X

    申请日:2022-10-26

    Abstract: 本发明公开了一种锶掺杂钡源及其制备方法与在制备高温超导带材中的应用,所述制备方法包括以下步骤:(1)将钡盐、锶盐与2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮络合反应生成双(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮)钡锶;(2)再加入1,10‑菲罗啉进行配位反应,反应完全后蒸发结晶得到所述锶掺杂的钡源。本发明制备得到的锶掺杂钡源与三(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮)钇源以及双(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮)铜源挥发温度相近,三种前驱体源通过MOCVD工艺可同时与氧离子结合,在带材上形成具有超导功能的陶瓷层膜。该陶瓷层膜形成的功能层在77K、0T下的临界电流高达765.10A,且具有良好的柔韧性,8mm棒弯曲临界电流损失仅为5.21%。

    一种在线检测超导用金属基带表面粗糙度装置

    公开(公告)号:CN216593261U

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN202123305984.9

    申请日:2021-12-27

    Abstract: 本实用新型公开一种在线检测超导用金属基带表面粗糙度装置,包括底座;支架安装在底座的一侧;测试系统可沿待测基带的宽度方向移动地设置在支架上;导轮组件包括两个相对并间隔设置的、且一端固定在底座的另一侧的中心轴和分别绕中心轴的轴线转动地设置在中心轴上的导轮,待测基带贴固在导轮的面向测试系统的一侧且经导轮定位后的待测基带与测试系统相平行。通过设置可沿待测基带的宽度方向移动地测试系统,从而实现对带材宽度方向上不同位置的粗糙度进行在线检测。

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