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公开(公告)号：CN1194267C
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN99123665.3
申请日：1999-11-03
申请人： 东进瑟弥侃株式会社
IPC分类号： G03F7/42 , H01L21/027
摘要： 本发明涉及在制造半导体元件的工艺中，用以清除Spin-ON-Glass和感光性树脂组合物的稀释剂组合物，其由丙二醇单烷基醚与单氧羧酸酯，烷基乙酸酯和烷基乳酸酯混合而成。旋转涂覆后，使用本发明的稀释剂组合物，可迅速、彻底地清除基板边缘部位或基板后部多余的涂覆液，从而提高产品收率。因能够彻底地清除再利用的基板表面上附着的残余物质，能够有效地使用基板。
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公开(公告)号：CN1220115C
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN01808573.3
申请日：2001-04-25
申请人： 东进瑟弥侃株式会社
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425
摘要： 本发明涉及光刻胶剥离剂组合物，它在诸如大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)等半导体器件的制造工艺中用于剥离光刻胶。光刻胶剥离剂组合物包含3-10wt%的有机胺化合物，30-60wt%选自DMAc、DMF、DMI、NMP等的溶剂，30-60wt%的水，1-10wt%儿茶酚，间苯二酚，或者它们的混合物，以及1-10wt%的C4-6的直链的多元醇。
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公开(公告)号：CN1358224A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN00809600.7
申请日：2000-06-27
申请人： 东进瑟弥侃株式会社
摘要： 本发明涉及用于负化学增强型抗蚀剂的非水性脱膜剂组合物,其具有优异的脱除能力,对各种金属基底板材例如Al,W,TiN,WSi,SiON,SiNx,HTO等具有防腐作用,并且由于其作为非水性脱膜剂,即使经过多次使用还可重复利用,可提高生产率,该抗蚀剂适于在需要进行负化学增强型抗蚀剂脱除过程的高精度加工的电子材料领域使用。为实现上述目的,本发明提供了一种用于负化学增强型抗蚀剂的脱膜剂组合物,含有a)20－35重量%的直链烷基苯磺酸;b)10－34重量%的轻芳香石脑油溶剂;c)30－45重量%的含氯有机化合物;d)15－25重量%的羟基苯;和e)0.5－5重量%的聚氧乙烯辛基苯基醚衍生物。
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公开(公告)号：CN1217236C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN00819669.9
申请日：2000-06-26
申请人： 东进瑟弥侃株式会社
摘要： 本发明提供一种包括如下物质的光刻胶去除剂组合物：0.1～＜0.2wt%氟化铵，25～45wt%水，4～15wt%含有2或3个羟基的有机酚基化合物，和40～70wt%N，N’-二甲基乙酰胺，该组合物用于在半导体如大规模集成件、超大规模集成件等的制造工艺中除去光刻胶。根据本发明的光刻胶去除剂组合物可容易而快速地去除由硬烘、干蚀和灰化工艺固化的光刻胶膜，和在光刻胶与上述工艺中的刻蚀和灰化气体反应之后从下部金属衬底形成的侧壁抗蚀剂聚合物，并可用于除去来自下部金属衬底，特别是铝、铝合金等的侧壁抗蚀剂聚合物。此外，根据本发明的光刻胶去除剂组合物可最小化在光刻胶去除工艺中的下部金属衬底腐蚀和最小化光刻胶去除工艺中下部金属衬底的腐蚀，特别有益于最小化新下部金属衬底的腐蚀，该新下部金属衬底应用于生产非常大规模集成半导体，超过64兆DRAM类别的生产线。
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公开(公告)号：CN1203378C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN01810235.2
申请日：2001-06-07
申请人： 东进瑟弥侃株式会社
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425
摘要： 本发明涉及一种在制造诸如大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)的半导体装置时所采用的去除光刻胶的光刻胶去除剂混合物。本发明包含：含量为2～20重量%的水溶性羟胺；含量为5～15重量%的含有2或3个羟基的肟化合物；以及含量为30～55重量%的烷基胺。本发明涉及的光刻胶去除剂去混合物能够容易并且快速的去除烘烤、干蚀刻和灰化过程产生的光刻胶层以及在这些过程中，由于蚀刻和灰化气与光刻胶进行反应，在底层金属膜上产生的侧壁光刻胶聚合体。特别是，光刻胶去除剂混合物具有良好的从铝层、铝合金层和氮化钛层上去除侧壁光刻胶聚合体的性能。
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公开(公告)号：CN1161449C
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN00809600.7
申请日：2000-06-27
申请人： 东进瑟弥侃株式会社
摘要： 本发明涉及用于负化学增强型抗蚀剂的非水性脱膜剂组合物，其具有优异的脱除能力，对各种金属基底板材例如Al，W，TiN，WSi，SiON，SiNx，HTO等具有防腐作用，并且由于其作为非水性脱膜剂，即使经过多次使用还可重复利用，可提高生产率，该抗蚀剂适于在需要进行负化学增强型抗蚀剂脱除过程的高精度加工的电子材料领域使用。为实现上述目的，本发明提供了一种用于负化学增强型抗蚀剂的脱膜剂组合物，含有a)20-35重量%的直链烷基苯磺酸；b)10-34重量%的轻芳香石脑油溶剂；c)30-45重量%的含氯有机化合物；d)15-25重量%的羟基苯；和e)0.5-5重量%的聚氧乙烯辛基苯基醚衍生物。
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公开(公告)号：CN1426544A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN01808573.3
申请日：2001-04-25
申请人： 东进瑟弥侃株式会社
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425
摘要： 本发明涉及光刻胶剥离剂组合物，它在诸如大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)等半导体器件的制造工艺中用于剥离光刻胶。光刻胶剥离剂组合物包含3－10wt％的有机胺化合物，30－60wt％选自DMAc、DMF、DMI、NMP等的溶剂，30－60wt％的水，1－10wt％儿茶酚，间苯二酚，或者它们的混合物，以及1－10wt％的C4－6的直链的多元醇。
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公开(公告)号：CN1219241C
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN00812559.7
申请日：2000-08-14
申请人： 东进瑟弥侃株式会社
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425
摘要： 一种光致抗蚀剂脱膜剂组合物，包括：10-30%(重量)的胺化合物；20-60%(重量)的二元醇类溶剂；20-60%(重量)的极性溶剂；和0.01-3%(重量)的全氟烷基乙烯氧化物。光致抗蚀剂脱膜剂组合物从基片上剥离光致抗蚀剂残渣的性能被提高了，所述残渣是由于干法或湿法蚀刻，抛光或离子注入而产生的。并且光致抗蚀剂脱膜剂组合物能被光滑地涂敷到包括铝(Al)层的各种金属层上。而且所述光致抗蚀剂脱膜剂组合物几乎不腐蚀金属层。
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公开(公告)号：CN1454334A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN00819669.9
申请日：2000-06-26
申请人： 东进瑟弥侃株式会社
摘要： 本发明提供一种包括如下物质的光刻胶去除剂组合物：0.1－0.3wt％氟化铵，25－45wt％水，4－15wt％含有2或3个羟基的有机酚基化合物，和40－70wt％烷基酰胺，该组合物用于在半导体如大规模集成件、超大规模集成件等的制造工艺中除去光刻胶。根据本发明的光刻胶去除剂组合物可容易而快速地去除由硬烘、干蚀和灰化工艺固化的光刻胶膜，和在光刻胶与上述工艺中的刻蚀和灰化气体反应之后从下部金属衬底形成的侧壁抗蚀剂聚合物，并可用于除去来自下部金属衬底，特别是铝、铝合金等的侧壁抗蚀剂聚合物。此外，根据本发明的光刻胶去除剂组合物可最小化在光刻胶去除工艺中的下部金属衬底腐蚀和最小化光刻胶去除工艺中抗下部金属衬底的腐蚀，特别有益于最小化抗新下部金属衬底的腐蚀，该新下部金属衬底应用于生产非常大规模集成半导体，超过64兆DRAM类别的生产线。
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