公开(公告)号：CN116694403A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202210181237.9

申请日：2022-02-25

Applicant: 东莞新科技术研究开发有限公司

Inventor： 卢文胜

IPC: C11B11/00

Abstract: 本发明公开了一种蜡的回收再生方法，包括：将废弃蜡块粉碎后放入真空室中；对所述真空室进行抽真空和加热，使得所述废弃蜡块融化为一体；待融化为一体的蜡冷却为蜡块后，将所述蜡块的上层取出，以得到第一份回收再生的蜡；使用脱蜡溶液和稀硫酸对所述蜡块的下层进行脱蜡处理，得到回收再生的蜡液；将所述回收再生的蜡液凝固，以得到第二份回收再生的蜡。采用本发明实施例能够从废弃蜡块中提取出纯度较高的蜡，以实现蜡的回收再生。

公开(公告)号：CN111599671A

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201910136434.7

申请日：2019-02-21

Applicant: 东莞新科技术研究开发有限公司

Inventor： 卢文胜

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供了一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在夹具上涂布一层负性光刻胶，将长形条半导体黏贴在光刻胶表面，烘烤至光刻胶干燥使长形条半导体固定于夹具上，其中，涂布的光刻胶厚度为50～65μm；(2)用切割刀片对固定于夹具上的长形条半导体进行机械切割，其中，半导体上切割槽深度为0.5～0.8mm，切割刀转速为4500～5500RPM，切割速度为90～110mm/s；(3)切割完成后依次用酸溶液、加热的碱溶液洗涤长形条半导体使其从夹具上脱落，然后将长条形半导体依次放入臭氧水、氯水、有机溶剂中处理。本发明的方法制备工艺简单，对长形条半导体的内应力的消除具有很好的效果。

公开(公告)号：CN116705590A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202210180301.1

申请日：2022-02-25

Applicant: 东莞新科技术研究开发有限公司

Inventor： 卢文胜

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明公开了一种半导体晶圆的切割方法，包括：将待切割的半导体晶圆固定在旋转台上；通过所述旋转台带动半导体晶圆转动，同时，通过喷嘴向半导体晶圆的上表面喷射光刻胶，使得光刻胶均匀涂覆在半导体晶圆的上表面上；对半导体晶圆的上表面上涂覆的光刻胶进行固化处理；对固化后的半导体晶圆进行切割处理；对切割后的半导体晶圆的上表面上涂覆的光刻胶进行分离处理。采用本发明的技术方案能够有效防止切割过程中产生半导体损坏、崩裂和腐蚀等坏品，并且成本较低，操作简单，易于实现。

公开(公告)号：CN114812479A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202110122164.1

申请日：2021-01-28

Applicant: 东莞新科技术研究开发有限公司

Inventor： 卢文胜

IPC: G01B21/20

Abstract: 本发明公开了一种半导体弯曲度的测量方法，包括：根据待测量的半导体上的若干个第一标记获取所述半导体对应的第一弯曲度曲线；根据粘合所述半导体的夹具上的若干个第二标记获取所述夹具对应的第二弯曲度曲线；其中，所述夹具上的第二标记与所述半导体上的第一标记一一对应；根据所述第二弯曲度曲线对所述第一弯曲度曲线进行补偿，相应获得所述半导体对应的补偿后的弯曲度曲线；根据所述补偿后的弯曲度曲线获取所述半导体的弯曲度。采用本发明的技术方案能够准确测量半导体的弯曲度。

公开(公告)号：CN110354686A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201810251773.5

申请日：2018-03-26

Applicant: 东莞新科技术研究开发有限公司

Inventor： 卢文胜

IPC: B01D65/02

Abstract: 本发明涉及化学清洗技术领域，公开了一种过滤膜的清洗方法，首先，向清洗回路中加入PH为2-3的第一酸性溶液浸泡过滤膜，从而清除过滤膜上的部分污垢并且使难以清除的污垢变得松动；接着，通过将第二酸性溶液抽吸至清洗回路并使第二酸性溶液完全浸没过滤膜；然后，采用循环泵控制清洗回路中的第二酸性溶液以预定流量循环流动，以使第二酸性溶液在过滤膜的表面形成切向流动以对过滤膜进行清洗；在采用第二酸性溶液循环清洗过滤膜后，采用过膜抽吸泵将第二酸性溶液从清洗回路反向抽吸至洗脱液池，以使得第二酸性溶液反向清洗过滤膜，从而实现了在不拆卸过滤膜的条件下清洗过滤膜，以避免频繁拆卸和安装过滤膜，进而降低维护成本。

公开(公告)号：CN111599671B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN201910136434.7

申请日：2019-02-21

Applicant: 东莞新科技术研究开发有限公司

Inventor： 卢文胜

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供了一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在夹具上涂布一层负性光刻胶，将长形条半导体黏贴在光刻胶表面，烘烤至光刻胶干燥使长形条半导体固定于夹具上，其中，涂布的光刻胶厚度为50～65μm；(2)用切割刀片对固定于夹具上的长形条半导体进行机械切割，其中，半导体上切割槽深度为0.5～0.8mm，切割刀转速为4500～5500RPM，切割速度为90～110mm/s；(3)切割完成后依次用酸溶液、加热的碱溶液洗涤长形条半导体使其从夹具上脱落，然后将长条形半导体依次放入臭氧水、氯水、有机溶剂中处理。本发明的方法制备工艺简单，对长形条半导体的内应力的消除具有很好的效果。

公开(公告)号：CN110354686B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN201810251773.5

申请日：2018-03-26

Applicant: 东莞新科技术研究开发有限公司

Inventor： 卢文胜

IPC: B01D65/02

Abstract: 本发明涉及化学清洗技术领域，公开了一种过滤膜的清洗方法，首先，向清洗回路中加入PH为2‑3的第一酸性溶液浸泡过滤膜，从而清除过滤膜上的部分污垢并且使难以清除的污垢变得松动；接着，通过将第二酸性溶液抽吸至清洗回路并使第二酸性溶液完全浸没过滤膜；然后，采用循环泵控制清洗回路中的第二酸性溶液以预定流量循环流动，以使第二酸性溶液在过滤膜的表面形成切向流动以对过滤膜进行清洗；在采用第二酸性溶液循环清洗过滤膜后，采用过膜抽吸泵将第二酸性溶液从清洗回路反向抽吸至洗脱液池，以使得第二酸性溶液反向清洗过滤膜，从而实现了在不拆卸过滤膜的条件下清洗过滤膜，以避免频繁拆卸和安装过滤膜，进而降低维护成本。

公开(公告)号：CN114103183A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202010903849.5

申请日：2020-09-01

Applicant: 东莞新科技术研究开发有限公司

Inventor： 卢文胜

IPC: B29C70/72 ,  B29C70/88 ,  C08J7/044 ,  C09D133/04 ,  C09D5/24 ,  C09D7/63 ,  B32B27/12 ,  B32B17/02 ,  B32B17/10 ,  B32B3/08 ,  B32B33/00

Abstract: 本发明公开了一种抗静电塑料的制造方法，所述抗静电塑料包括塑料基材层；所述方法包括：制备防静电涂料；将所述防静电涂料均匀涂抹在所述塑料基材层的外表面上，相应形成复合层；在所述复合层的内部安装地线；制备短切玻璃纤维；将所述短切玻璃纤维包裹在所述复合层的外表面上，相应形成绝缘层。采用本发明的技术方案能够减少塑料在使用过程中的安全隐患，并且提高产品的抗压强度和耐高温强度，延长产品的使用寿命。

公开(公告)号：CN112934829A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201911170028.9

申请日：2019-11-26

Applicant: 东莞新科技术研究开发有限公司

Inventor： 卢文胜

IPC: B08B3/08 ,  B08B3/12 ,  B08B1/00 ,  B08B3/10 ,  C11D1/72 ,  C11D3/20 ,  C11D3/33 ,  C11D3/60 ,  F26B3/04

Abstract: 本发明公开了一种半导体夹具的清洗方法，包括以下步骤：(1)将待清洗的半导体夹具置于60～80℃的光刻胶清洗剂中，浸泡1～3h，刷洗；(2)置于去离子水中，用超声波清洗，干燥；(3)置于乙醇中用超声波清洗，干燥，即得清洗后的半导体夹具。本发明半导体夹具的清洗方法先采用将其置于光刻胶清洗剂中，使光刻胶失去一定的附着力，通过刷洗可以轻易洗去夹具上的光刻胶，然后置于去离子水中漂洗，进一步除去表面的光刻胶清洗剂、光刻胶残留和颗粒杂质，干燥后，最后置于乙醇中，更进一步去除其表面的光刻胶残留和颗粒杂质，采用本发明所述清洗方法可清除半导体夹具上99％以上的光刻胶和杂质颗粒。

公开(公告)号：CN117817528A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202211204821.8

申请日：2022-09-28

Applicant: 东莞新科技术研究开发有限公司

Inventor： 卢文胜

IPC: B24B27/06 ,  B24B1/00

Abstract: 本发明的半导体的切割方法，包括：待切物料和废料以预定方式配置于机台；控制磨轮以第一进给速度首先切入废料；控制所述磨轮从所述废料突出的部分以第二进给速度切入待切物料，所述第二进给速度大于所述第一进给速度。本发明能大大减少磨轮在切割时的振幅，从而减少切割表面的崩裂或形变。