用于制造硬盘基片的方法

    公开(公告)号:CN104350542A

    公开(公告)日:2015-02-11

    申请号:CN201380030518.3

    申请日:2013-04-02

    Abstract: 由本发明解决的问题是获得一种可以具有通过NiP化学镀的镀膜的平滑表面并且不具有对酸溶液恶化的抗腐蚀性的硬盘基片。用于制造本发明的硬盘基片的方法是用于制造具有NiP化学镀镀膜的硬盘基片的方法,所述方法包括:将基片浸泡在包含具有平整作用的添加剂的第一NiP化学镀镀液中,从而在基片的表面上形成NiP化学镀镀膜的下层,该下层具有比表面更小的平均表面粗糙度;和将具有通过第一覆镀步骤在其上形成的NiP化学镀镀膜的下层的基片浸泡在第二NiP化学镀镀液中,从而形成NiP化学镀镀膜的上层,该上层对酸溶液具有抗腐蚀性并且具有大于或等于4μm的厚度。

    用于制造硬盘基片的方法

    公开(公告)号:CN104364847A

    公开(公告)日:2015-02-18

    申请号:CN201380030531.9

    申请日:2013-04-02

    CPC classification number: G11B5/858 G11B5/7315 G11B5/8404

    Abstract: 通过本发明解决的问题是获得一种可以具有通过NiP化学镀的镀膜的平滑表面并且不具有对酸溶液恶化的抗腐蚀性的硬盘基片。用于制造本发明的硬盘基片的方法包括:第一覆镀步骤,将基片浸泡在包含具有平整作用的添加剂的第一NiP化学镀镀液中,从而在基片的表面上形成NiP化学镀镀膜的下层,该下层具有比表面更小的平均表面粗糙度;和第二覆镀步骤,将具有通过第一覆镀步骤在其上形成的NiP化学镀镀膜的下层的基片浸泡在第二NiP化学镀镀液中,从而形成NiP化学镀镀膜的上层,该上层具有对酸溶液的抗腐蚀性。在从第一覆镀步骤过渡到第二覆镀步骤的时期中,抑制下层暴露于大气。

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