光记录材料和光记录介质

    公开(公告)号:CN1070783C

    公开(公告)日:2001-09-12

    申请号:CN96191531.5

    申请日:1996-12-24

    Abstract: 一种下式(1)的光记录材料和具有优异记录灵敏度,耐光性和耐用性的光记录介质,所述介质含有含上述材料的记录层,式(1),其中各X1-X4为氢原子,烷基,芳基,脂环残基,芳烷基,杂环,烷氧基,芳氧基或烷基硫代基,各Y1-Y4为氢原子,卤原子,硝基,邻苯二甲酰亚胺甲基或砜酰胺基,各R1和R2为氢原子,卤原子,羟基,烷基,芳基,芳烷基,烷氧基,芳氧基,烷基硫代基,芳基硫代基,烷基氨基,二烷基氨基,芳基氨基或二芳基氨基,M为Al,Ga,In,Si,Ge或Sn,Z为偶氮化合物,蒽醌化合物或金属配位化合物,n1-n4为1-4的整数,m1-m4为0-4的整数,k为1或2,和l为0或1,但k+l为1或2。

    光记录材料和光记录介质

    公开(公告)号:CN1169128A

    公开(公告)日:1997-12-31

    申请号:CN96191531.5

    申请日:1996-12-24

    Abstract: 一种下式(1)的光记录材料和具有优异记录灵敏度,耐光性和耐用性的光记录介质,所述介质含有含上述材料的记录层,式(1),其中各X1-X4为氢原子,烷基,芳基,脂环残基,芳烷基,杂环,烷氧基,芳氧基或烷基硫代基,各Y1-Y4为氢原子,卤原子,硝基,邻苯二甲酰亚胺甲基或砜酰胺基,各R1和R2为氢原子,卤原子,羟基,烷基,芳基,芳烷基,烷氧基,芳氧基,烷基硫代基,芳基硫代基,烷基氨基,二烷基氨基,芳基氨基或二芳基氨基,M为Al,Ga,In,Si,Ge或Sn,Z为偶氮化合物,蒽醌化合物或金属配位化合物,n1-n4为1-4的整数,m1-m4为0-4的整数,k为1或2,和1为0或1,但k+1为1或2。

    黑底基板的制造方法、黑底基板和滤色器

    公开(公告)号:CN1420384A

    公开(公告)日:2003-05-28

    申请号:CN02152241.3

    申请日:2002-11-21

    Abstract: 本发明公开了一种黑底基板的制造方法,其特征在于,在具有第一主面和该第一主面的相反侧的第二主面的透明基板的该第一主面上实质上全面地涂布黑色感光性抗蚀剂,对该涂布的黑色感光性抗蚀剂层,通过光掩模为媒介从前述第一主面侧照射第一活性能量线,将该第一活性能量线照射的黑色感光抗蚀剂层供作显影处理以形成黑底图案,其次,对该黑底图案,从前述第二主面侧照射第二活性能量线。另外,本发明还公开了通过该方法制得的黑底基板、和使用该黑底基板的滤色器。

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