公开(公告)号：CN1669739A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510054378.0

申请日：2001-11-28

Applicant: 东洋橡膠工业株式会社

Inventor： 小野浩一 ,  下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  驹井茂 ,  堤正幸

IPC: B24B37/04 ,  B24D3/32 ,  H01L21/304 ,  B24B7/24

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24B37/22 ,  B24D3/28 ,  B24D11/001 ,  B24D11/008

Abstract: 一种研磨垫，稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易，厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子；以及没有由个体差异的质量偏差，可容易改变加工图案，可进行微细加工，形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子；以及可对应各种被研磨材料，能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒，由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成，并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有20～1500eq/ton离子基的树脂的研磨垫。

公开(公告)号：CN1651192A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510054380.8

申请日：2001-11-28

Applicant: 东洋橡膠工业株式会社

Inventor： 小野浩一 ,  下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  驹井茂 ,  堤正幸

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24B37/22 ,  B24D3/28 ,  B24D11/001 ,  B24D11/008

Abstract: 一种研磨垫，稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易，厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子；以及没有由个体差异的质量偏差，可容易改变加工图案，可进行微细加工，形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子；以及可对应各种被研磨材料，能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒，由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成，并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有20～1500eq/ton离子基的树脂的研磨垫。

公开(公告)号：CN100537147C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200710139901.9

申请日：2001-11-28

Applicant: 东洋橡膠工业株式会社

Inventor： 小野浩一 ,  下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  驹井茂 ,  堤正幸

IPC: B24D11/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 一种研磨垫，稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易，厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子；以及没有由个体差异的质量偏差，可容易改变加工图案，可进行微细加工，形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子；以及可对应各种被研磨材料，能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒，由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成，并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有20～1500eq/ton离子基的树脂的研磨垫。

公开(公告)号：CN1651193A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510054379.5

申请日：2001-11-28

Applicant: 东洋橡膠工业株式会社

Inventor： 小野浩一 ,  下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  驹井茂 ,  堤正幸

IPC: B24D3/28 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24B37/22 ,  B24D3/28 ,  B24D11/001 ,  B24D11/008

Abstract: 一种研磨垫，稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易，厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子；以及没有由个体差异的质量偏差，可容易改变加工图案，可进行微细加工，形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子；以及可对应各种被研磨材料，能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒，由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成，并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有20～1500eq/ton离子基的树脂的研磨垫。

公开(公告)号：CN100379522C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200510054378.0

申请日：2001-11-28

Applicant: 东洋橡膠工业株式会社

Inventor： 小野浩一 ,  下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  驹井茂 ,  堤正幸

IPC: B24B37/04 ,  B24D3/32 ,  H01L21/304 ,  B24B7/24

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24B37/22 ,  B24D3/28 ,  B24D11/001 ,  B24D11/008

Abstract: 一种研磨垫，稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易，厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子；以及没有由个体差异的质量偏差，可容易改变加工图案，可进行微细加工，形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子；以及可对应各种被研磨材料，能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒，由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成，并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有20～1500eq/ton离子基的树脂的研磨垫。

公开(公告)号：CN1224499C

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN01819489.3

申请日：2001-11-28

Applicant: 东洋橡膠工业株式会社

Inventor： 小野浩一 ,  下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  驹井茂 ,  堤正幸

IPC: B24B37/00 ,  B24D11/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24B37/22 ,  B24D3/28 ,  B24D11/001 ,  B24D11/008

Abstract: 一种研磨垫，稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易，厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子；以及没有由个体差异的质量偏差，可容易改变加工图案，可进行微细加工，形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子；以及可对应各种被研磨材料，能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒，由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成，并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有20～1500eq/ton离子基的树脂的研磨垫。

公开(公告)号：CN100496896C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200510054379.5

申请日：2001-11-28

Applicant: 东洋橡膠工业株式会社

Inventor： 小野浩一 ,  下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  驹井茂 ,  堤正幸

IPC: B24D3/28 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24B37/22 ,  B24D3/28 ,  B24D11/001 ,  B24D11/008

Abstract: 一种研磨垫，稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易，厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子；以及没有由个体差异的质量偏差，可容易改变加工图案，可进行微细加工，形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子；以及可对应各种被研磨材料，能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒，由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成，并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有20～1500eq/ton离子基的树脂的研磨垫。

公开(公告)号：CN100484718C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200510054380.8

申请日：2001-11-28

Applicant: 东洋橡膠工业株式会社

Inventor： 小野浩一 ,  下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  驹井茂 ,  堤正幸

IPC: B24D11/00 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24B37/22 ,  B24D3/28 ,  B24D11/001 ,  B24D11/008

Abstract: 一种研磨垫，稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易，厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子；以及没有由个体差异的质量偏差，可容易改变加工图案，可进行微细加工，形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子；以及可对应各种被研磨材料，能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒，由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成，并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有20～1500eq/ton离子基的树脂的研磨垫。

公开(公告)号：CN101134301A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710139901.9

申请日：2001-11-28

Applicant: 东洋橡膠工业株式会社

Inventor： 小野浩一 ,  下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  驹井茂 ,  堤正幸

IPC: B24D11/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 一种研磨垫，稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易，厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子；以及没有由个体差异的质量偏差，可容易改变加工图案，可进行微细加工，形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子；以及可对应各种被研磨材料，能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒，由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成，并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有20～1500eq/ton离子基的树脂的研磨垫。