公开(公告)号：CN104271351B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201380015065.7

申请日：2013-02-04

Applicant: 东洋制罐集团控股株式会社

Inventor： 伊藤卓郎 ,  小泽里美 ,  鬼头谕 ,  山崎和彦

IPC: B32B27/36 ,  B65D23/08 ,  B65D65/46 ,  C23C16/27

CPC classification number: B65D23/0807 ,  B05D1/62 ,  B05D7/04 ,  B05D7/50 ,  B05D2490/50 ,  B65D1/0215 ,  B65D23/02 ,  B65D65/466 ,  C08J7/123 ,  C08J2367/04 ,  C23C16/26 ,  C23C16/27 ,  C23C16/511 ,  Y02W90/12 ,  Y10T428/1379 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/31786

Abstract: 该聚乳酸成形体包括聚乳酸基材(1)和通过等离子体CVD在基材表面上形成的烃系沉积膜(3)，其中，聚乳酸基材(1)显示在10°-25°广角X射线测定中出现的峰的半值宽度不大于1.22°的尖锐的X射线衍射峰，和烃系沉积膜(3)包括两层，即，在聚乳酸基材(1)的表面上形成的并且设计为使得相对于CH、CH2和CH3的总和的CH2比率为40％以上的高CH2层(3a)，和在高CH2层(3a)上形成的并且设计为使得相对于CH、CH2和CH3的总和的CH2比率为35％以下的低CH2层(3b)。用该聚乳酸成形体，通过其中没有反应气体的变换的连续的一系列等离子CVD步骤形成对聚乳酸基材表现出高的粘合性的烃系沉积膜，而不发生聚乳酸基材的热变形或热劣化。

公开(公告)号：CN104271351A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380015065.7

申请日：2013-02-04

Applicant: 东洋制罐集团控股株式会社

Inventor： 伊藤卓郎 ,  小泽里美 ,  鬼头谕 ,  山崎和彦

IPC: B32B27/36 ,  B65D23/08 ,  B65D65/46 ,  C23C16/27

CPC classification number: B65D23/0807 ,  B05D1/62 ,  B05D7/04 ,  B05D7/50 ,  B05D2490/50 ,  B65D1/0215 ,  B65D23/02 ,  B65D65/466 ,  C08J7/123 ,  C08J2367/04 ,  C23C16/26 ,  C23C16/27 ,  C23C16/511 ,  Y02W90/12 ,  Y10T428/1379 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/31786 ,  B32B15/04 ,  B32B33/00 ,  B32B2307/102 ,  B32B2307/304 ,  B32B2307/3065 ,  B32B2307/558 ,  B32B2309/105 ,  B32B2439/62 ,  B32B2509/10 ,  B32B2607/00

Abstract: 该聚乳酸成形体包括聚乳酸基材(1)和通过等离子体CVD在基材表面上形成的烃系沉积膜(3)，其中，聚乳酸基材(1)显示在10°-25°广角X射线测定中出现的峰的半值宽度不大于1.22°的尖锐的X射线衍射峰，和烃系沉积膜(3)包括两层，即，在聚乳酸基材(1)的表面上形成的并且设计为使得相对于CH、CH2和CH3的总和的CH2比率为40％以上的高CH2层(3a)，和在高CH2层(3a)上形成的并且设计为使得相对于CH、CH2和CH3的总和的CH2比率为35％以下的低CH2层(3b)。用该聚乳酸成形体，通过其中没有反应气体的变换的连续的一系列等离子CVD步骤形成对聚乳酸基材表现出高的粘合性的烃系沉积膜，而不发生聚乳酸基材的热变形或热劣化。