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公开(公告)号：CN112930323B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201980069242.7
申请日：2019-10-18
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 提供：以与以往相比更不易吸附水、并且用作成型体时的强度优异为特征的Pentasil型沸石、和该Pentasil型沸石的制造方法。一种Pentasil型沸石和其制造方法，所述Pentasil型沸石的特征在于，25℃、相对湿度90％的条件下的水分吸附量为4.0g/100g‑沸石以下，且一次颗粒的长轴直径为0.2μm以上且4.0μm以下。
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公开(公告)号：CN104245584A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380021291.6
申请日：2013-03-25
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C01B39/40
CPC classification number: B01J29/70 , B01J29/041 , B01J29/40 , B01J35/0013 , B01J35/002 , B01J35/023 , B01J35/1038 , B01J35/1057 , B01J35/1061 , B01J35/108 , B01J35/109 , B82Y30/00 , C01B39/40 , C01P2004/60 , C01P2004/64 , C01P2006/14 , C01P2006/16 , C01P2006/17 , C10G50/00
Abstract: 本发明提供新型MFI型沸石和提供用于制造所述MFI型沸石的方法，所述新型MFI型沸石当用作催化剂时，可用于较大分子的选择性催化反应。MFI型沸石具备下列性质：(i)所述MFI型沸石包括均匀的中孔，所述均匀的中孔具有其半高峰宽(hw)为至多20nm(hw≤20nm)且最大峰的中心值(μ)为10nm以上且20nm以下(10nm≤μ≤20nm)的孔分布曲线，并具有至少0.05mL/g的所述均匀的中孔的孔体积(pv)(0.05mL/g≤pv)；(ii)所述MFI型沸石在具有由2θ表示的衍射角的粉末X-射线衍射测量中在0.1°-3°的范围内不具有峰；和(iii)所述MFI型沸石具有至多100nm(PD≤100nm)的平均粒径(PD)。
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公开(公告)号：CN105492389A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480047337.6
申请日：2014-08-12
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供与以往相比兼具更高BET比表面积和更高酸量的五元高硅型沸石以及制造所述五元高硅型沸石的方法。五元高硅型沸石特征在于，其BET比表面积为450m2/g以上，且此外，通过氨-TPD法测量的其酸量为0.38mmol/g以上。该五元高硅型沸石可通过如下的制造方法获得：其具有使包含四丁基阳离子、二氧化硅源、氧化铝源、碱金属源、和水的混合物结晶化的结晶化步骤，并且其特征在于所述混合物中所述碱金属相对于所述二氧化硅的摩尔比大于0.04且小于0.10。
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公开(公告)号：CN112930323A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201980069242.7
申请日：2019-10-18
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 提供：以与以往相比更不易吸附水、并且用作成型体时的强度优异为特征的Pentasil型沸石、和该Pentasil型沸石的制造方法。一种Pentasil型沸石和其制造方法，所述Pentasil型沸石的特征在于，25℃、相对湿度90％的条件下的水分吸附量为4.0g/100g‑沸石以下，且一次颗粒的长轴直径为0.2μm以上且4.0μm以下。
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公开(公告)号：CN105492389B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201480047337.6
申请日：2014-08-12
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供与以往相比兼具更高BET比表面积和更高酸量的五元高硅型沸石以及制造所述五元高硅型沸石的方法。五元高硅型沸石特征在于，其BET比表面积为450m2/g以上，且此外，通过氨‑TPD法测量的其酸量为0.38mmol/g以上。该五元高硅型沸石可通过如下的制造方法获得：其具有使包含四丁基阳离子、二氧化硅源、氧化铝源、碱金属源、和水的混合物结晶化的结晶化步骤，并且其特征在于所述混合物中所述碱金属相对于所述二氧化硅的摩尔比大于0.04且小于0.10。
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