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公开(公告)号：CN115215541A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210411991.7
申请日：2022-04-19
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 本发明所要解决的技术问题在于，提供一种在内部不含Φ大于0.1mm的气泡和裂纹、实用性优异、耐等离子体性更高的玻璃及其制造方法、包含该玻璃的玻璃构件、具有该玻璃构件的半导体制造装置以及液晶制造装置。所述玻璃由Si的氧化物和至少一种2价以上的金属元素的氧化物构成，不含直径大于0.1mm的泡，直径0.1mm以下的泡的面积占有率为0.05％以下。所述玻璃的制造方法包括：步骤(1)：将Si的氧化物的原料粉末和至少一种2价以上的金属元素的氧化物的原料粉末加入容器中，混合后在减压下加热熔融得到熔融体；步骤(2‑1)：对熔融体在He气氛中加压，或步骤(2‑2)：对熔融体在除He之外的不活泼气氛中加热、然后在所述不活泼气氛下加压；和步骤(3)：将熔融体冷却。
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