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公开(公告)号：CN110718762B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201910874689.3
申请日：2019-09-17
Applicant: 东南大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种由平面波垂直入射激励的单波束1比特超表面。本发明通过在每个单元上引入预相位，解决了传统1比特超表面在对垂直入射平面波进行波束赋形时会出现对称波束的困难。本发明的1比特超表面利用有一定厚度的介质板，将1比特单元随机放置在两个不同高度的平面，实现相对的预相位差；1比特单元包括金属地和加载十字缝的方形贴片，通过四个矩形贴片连接被十字缝切割的方形贴片实现1比特两个状态之间的切换。本发明能够在平面波入射垂直入射的情况下实现单波束，引入的预相位在改变出射方向无需重新调整，只需切换1比特单元的状态。本发明具有宽带特性、可重构潜力、工程可实现性强等优点。
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公开(公告)号：CN110718762A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910874689.3
申请日：2019-09-17
Applicant: 东南大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种由平面波垂直入射激励的单波束1比特超表面。本发明通过在每个单元上引入预相位，解决了传统1比特超表面在对垂直入射平面波进行波束赋形时会出现对称波束的困难。本发明的1比特超表面利用有一定厚度的介质板，将1比特单元随机放置在两个不同高度的平面，实现相对的预相位差；1比特单元包括金属地和加载十字缝的方形贴片，通过四个矩形贴片连接被十字缝切割的方形贴片实现1比特两个状态之间的切换。本发明能够在平面波入射垂直入射的情况下实现单波束，引入的预相位在改变出射方向无需重新调整，只需切换1比特单元的状态。本发明具有宽带特性、可重构潜力、工程可实现性强等优点。
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公开(公告)号：CN111987469B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202010721604.0
申请日：2020-07-24
Applicant: 东南大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种双线极化独立控制的反射超表面及天线，通过单层印制电路板(PCB)工艺实现。本发明利用1比特相位补偿，设计了一种单层结构、宽带工作、极化独立控制的反射单元。1比特单元包括金属地和加载十字缝的方形贴片，利用两对小金属贴片分别控制水平极化和垂直极化的1比特相位补偿的两种状态，实现高隔离度的双极化独立控制。利用该1比特单元的相位补偿，可以独立地控制水平极化和垂直极化的入射波反射指向不同方向，从而实现双极化独立控制的1比特反射阵天线。本发明的单层结构单元可以通过PCB工艺实现，具有宽带特性、可重构潜力，利用该单元设计的反射超表面及天线，具有双极化独立控制的能力、可重构潜力、工程易实现等优点。
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公开(公告)号：CN111987469A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010721604.0
申请日：2020-07-24
Applicant: 东南大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种双线极化独立控制的反射超表面及天线，通过单层印制电路板(PCB)工艺实现。本发明利用1比特相位补偿，设计了一种单层结构、宽带工作、极化独立控制的反射单元。1比特单元包括金属地和加载十字缝的方形贴片，利用两对小金属贴片分别控制水平极化和垂直极化的1比特相位补偿的两种状态，实现高隔离度的双极化独立控制。利用该1比特单元的相位补偿，可以独立地控制水平极化和垂直极化的入射波反射指向不同方向，从而实现双极化独立控制的1比特反射阵天线。本发明的单层结构单元可以通过PCB工艺实现，具有宽带特性、可重构潜力，利用该单元设计的反射超表面及天线，具有双极化独立控制的能力、可重构潜力、工程易实现等优点。
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