公开(公告)号：CN112951686A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110274007.2

申请日：2021-03-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 柏宁丰 ,  陈庭旭 ,  洪玮 ,  沈长圣 ,  吴晨 ,  孙小菡

IPC: H01J21/10 ,  H01J19/38 ,  H01J19/32 ,  H01J19/02

Abstract: 本发明公开了一种采用双栅极结构的横向场发射晶体管阵列，包括阴极、阳极、栅极介质层、电子束控制栅极、信号调制栅极。阴极和阳极均位于栅极介质层的上表面，并相对平行设置，之间设有空气间隙。阴极由阴极衬底和阴极发射体构成，阴极发射体由第一锥形薄膜尖端阵列组成。阳极由阳极结构体和阳极衬底构成，阳极结构体由第二锥形薄膜尖端阵列组成。电子束控制栅极和信号调制栅极均位于栅极介质层的下表面，并相对平行设置于空气间隙下方。本发明通过调制栅极上的信号，调制阴极发射的电子束，阳极接收调制过后的电子束大电流信号，信号获得放大。相对现有技术，解决场发射晶体管输出电流低、功率增益低、漏电流大的缺点。