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公开(公告)号：CN119315280A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411756433.X
申请日：2024-12-03
Applicant: 东南大学
Inventor： 武军伟 , 钱蔡宇 , 黄业成 , 程强 , 崔铁军
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的1‑bit光控太赫兹超表面，属于超表面设计领域。本发明通过采用合适的激光照射相变材料可以使得其晶相在晶态和无定形态之间转换，进而使超表面单元产生180°的反射相位差。将该1‑bit单元组成阵列即可结合编码矩阵实现对入射太赫兹电磁波的定向调控。该设计可以在减小传统电路开关控制带来的电信号干扰的同时大大减小体积以适用于太赫兹频段。
