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公开(公告)号：CN115955900A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211555723.9
申请日：2022-12-06
Applicant: 东南大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/854 , H02N11/00
Abstract: 本发明公开了一种ZrNiSn基复合热电材料的制备方法，包括如下步骤：按化学计量比称取高纯Zr、Ni、Sn粒为原料；采用电弧熔炼将原料制备成单一均相块体，后高能球磨为粉体材料；称取高纯Se粉或Te粉与ZrNiSn粉体研磨混合，后将混合粉体进行放电等离子烧结，得到致密ZrNiSn基块体复合热电材料。本发明首次通过Se、Te与ZrNiSn在烧结中原位生成了高迁移率半导体相，有效提升了热电性能。该方法科学合理、制备流程短、步骤少，具有较高的电导率和较低的热导率，提高了功率因子，一定程度上解耦了电热输运参数之间的矛盾，在工作温度范围内具有较好的热电性能。
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